Проектирование радиоволновых (СВЧ) приборов неразрушающего контроля материалов. Мищенко С.В - 62 стр.

UptoLike

Составители: 

Рубрика: 

02
0
02
εε
µ
=
Z
&
, (3.15)
а свободное пространство по обе стороны от пластины в виде линии передачи без потерь с волновым
сопротивлением
Ом120
0
0
01
π=
ε
µ
=Z . (3.16)
Комплексные коэффициенты отражения и прохождения могут быть найдены при этом из волновой
матрицы передачи эквивалентного четырехполюсника (рис. 3.1), образованного двумя скачками волно-
вых сопротивлений (Z
02
) и отрезком линии с потерями (
02
Z
&
). При выводе этих выражений необходимо
произвести замену параметров ε и tg δ на n (коэффициент преломления) и k (коэффициент поглощения),
причем связь между ними, как известно, определяется соотношением
2
n
&
&
=ε , т.е.
[]
2
)1() tg1( jknj =δε , откуда
)1(
22
kn =ε и )1/(2tg
2
kk =δ . (3.17)
В развернутом виде полученные выражения для коэффициента прохождения и его фазы имеют сле-
дующий вид:
2
22
2
00
22
22
2
ch2sh]1)1([cos2sin]1)1([
)1(4
++++
Ψ+Ψ+
+
=
anaknnkkn
kn
T
;
(3.18)
0
22
0
222
0
22
0
222
sinch]1)1([cosch)1(2]sh1)1([
cossh]1)1([sinsh)1(2]ch1)1([
arctg
Ψ++Ψ
++++
Ψ+Ψ
++++
=ϕ
aknkaknakn
aknkaknakn
;
(3.19)
для коэффициента отражения и его фазы
2
22
2
00
22
0
222222
2
ch2sh]1)1([cos2sin]1)1([
sinsh4]1)1([
++++
Ψ+Ψ+
Ψ+
++
=
anaknnkkn
ankn
R
;
(3.20)
Рис. 3.1 Эквивалентный четырехполюсник, отображающий
диэлектрическую пластину, находящуюся в свободном пространстве
)sinsh](1)1([2sh]1)1([2sin]1)1([
)sinsh(42sh]1)1([2sin]1)1([
arctg
0
2222422
0
22
0
22222
0
22
Ψ+++++Ψ+
Ψ+++Ψ+
=φ
aknaknnknnk
aknaknnkknn
,