ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
приборы (диоды и транзисторы) в схемах детекторов, смесителей, усилителей, генераторов [2, 3].
Устройства на полупроводниковых приборах при удовлетворительных электрических парамет-
рах отличаются весьма малыми габаритами и массой, низковольтным питанием, высокой механиче-
ской прочностью, большой долговечностью и повышенной надежностью. Все это обеспечивает
большую перспективу их развития и применения. Развитие полупроводниковых приборов открыло
широкие возможности для успешного решения задач миниатюризации РЭА.
Эквивалентная схема СВЧ диода показана на рис. 4.24, где штриховой линией выделена полупроводни-
ковая пластина. Отличие эквивалентных схем различных типов диодов в основном определяется
характером и величинами емкости и сопротивления перехода. Емкость перехода С
i
может
быть постоянной или переменной, меняясь в зависимости от величины приложенных постоянных и
переменных напряжений; сопротивление перехода R
i
может быть положительным или отрицатель-
ным и также может меняться от величины приложенных постоянных и переменных напряжений.
Основные параметры диодов. К основным параметрам диода относятся параметры эквивалентной
схемы рис. 4.24 и некоторые другие общие параметры, к которым можно отнести: чувствительность по
току (отношение выпрямленного тока к подводимой мощности), выходное сопротивление (дифферен-
циальное сопротивление в рабочем режиме), допустимую мощность, обратное напряжение и диапазон
рабочих частот. Кроме этого диоды характеризуются специальными параметрами, связанными с их
применением.
Конструктивное оформление СВЧ диодов предполагает сведение к минимуму паразитной емкости
корпуса С
р
, индуктивности выводов L
s
и удобное включение в коаксиальные, волноводные и полоско-
вые конструкции СВЧ устройств. Наиболее употребительные конструкции диодов содержат полупро-
водниковый элемент, заключенный в металлокерамический или металлостеклянный корпус патронного
или таблеточного типов (рис. 4.25), а также бескорпусные конструкции с поверхностью полупроводни-
ка, защищенной пленкой окислов, с золочеными контактами для включения в цепь СВЧ. Бескорпусные
конструкции, в основном, применяются при микроминиатюризации СВЧ устройств и имеют габарит-
ные размеры, не превышающие 50 × 250 × 250 мкм.
Рис. 4.24 Эквивалентная
схема СВЧ диода
Рис. 4.25 Конструкции
диодов:
а – патронный; б – таблеточ-
ный;
1 – полупроводник; 2 – пру-
жинный контакт; 3 – керами-
ческий корпус;
4 – выводы
Диоды с барьером Шотки имеют плоский нелинейный контакт металл – полупроводник, образо-
ванный напыленным слоем металла на поверхность полупроводника. Такой контакт обладает свойства-
ми, сходными со свойствами p-n перехода. В отличие от диодов с p-n переходами у диодов с барьером
Шотки отсутствует время обратного восстановления и емкость накопленных зарядов, что приводит к
улучшению импульсных и частотных свойств. Кроме того, вольт–амперная характеристика диода с
барьером Шотки (1 на рис. 4.26) в отличие от характеристики p-n перехода (2 на рис. 4.26) имеет более
крутую прямую ветвь, очень малый ток при обратном включении напряжения. Диоды с барьером Шот-
ки широко применяются в схемах переключателей, ограничителей, детекторов и смесителей.
Туннельные диоды отличаются тем, что их характеристика (рис. 4.27) имеет спадающий
участок ВС, на котором дифференциальное сопротивление имеет отрицательное значение. Появление
спадающего участка на этой характеристике объясняется туннельным эффектом. Понятие туннельного
эффекта означает способность электронов проникать (туннелировать) сквозь потенциальный барьер в
а) а) б)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 89
- 90
- 91
- 92
- 93
- …
- следующая ›
- последняя »
