ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
работающих в схемах генераторов и усилителей на частотах более 40 ГГц.
На рис. 4.29 представлена эквивалентная схема транзистора. Она аналогична схеме, используемой
для низкочастотных транзисторов, с той лишь разницей, что в нее дополнительно включены элементы,
не оказывающие существенного влияния на работу транзистора на более низких частотах.
Элементы схемы внутри штриховой линии (рис. 4.29) относятся к полупроводнику, а вне ее – к
корпусу. Индексы «э» относятся к эмиттеру, «к» – к коллектору, «б» – к базе, «i» – к внутренней части
выводов и «0» – к внешней части выводов. Для получения хороших характеристик транзистора в СВЧ
диапазоне необходимо сильно сократить размеры активной области транзистора (особенно базы) и од-
новременно максимально уменьшить паразитные емкости и индуктивности р-п перехода, корпуса и вы-
водов. Все это связано с большими технологическими трудностями, усложняющими производство
транзисторов на высокие частоты и большие выходные мощности.
Рис. 4.29 Эквивалентная схема транзистора
4.7 УСИЛИТЕЛИ СВЧ
Наиболее распространенными из полупроводниковых приборов для усиления колебаний являют-
ся входные усилители высокой частоты. В этом случае основными электрическими требо-
ваниями являются малый коэффициент шума при достаточном коэффициенте усиления и широкий
диапазон перестройки частоты [2, 4].
Регенеративные усилители на диодах. В качестве примера на рис. 4.30 и 4.31 приведены
конструкции регенеративных усилителей на полупроводниковых диодах. Регенеративными усилителя-
ми называются устройства, в которых эффект усиления получается за счет введения в колебательный
контур отрицательного сопротивления. Как было установлено выше, эффектом отрицательного сопро-
тивления обладают туннельные, лавинно–пролетные диоды и диоды Ганна. Кроме этого, эффект отри-
цательного сопротивления может быть создан с помощью параметрического диода путем изменения его
емкости под действием напряжения высокой частоты. Для устойчивой работы усилителя необходимо,
чтобы отрицательное сопротивление р-п перехода R
i
по своей абсолютной величине было меньше об-
щего сопротивления потерь
пот
RR
i
<
. При нарушении этого условия, т.е. при
пот
RR
i
>
, такой усилитель
превращается в генератор. В усилителе на диоде с отрицательным сопротивлением (рис. 4.30)
увеличение амплитуды колебаний получается за счет энергии источника смещения (постоянного тока).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 92
- 93
- 94
- 95
- 96
- …
- следующая ›
- последняя »
