ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
поля между сетками за время пролета этого расстояния происходит модуляция скорости электронов
(ускорение одних и замедление других). При дальнейшем их движении между резонатором и отра-
жателем эта модуляция скорости переходит в модуляцию плотности заряда – образуются сгустки
электронов. Последние после возвращения в резонатор во время вторичного пролета СВЧ зазора
при благоприятной фазе СВЧ поля (когда оно является для них тормозящим) отдают ему свою
энергию. В результате происходит нарастание автоколебаний в резонаторе до определенного уров-
ня. Благоприятный момент вторичного вхождения электронов в зазор достигается подбором напря-
жения отражателя, причем наибольшая мощность Р
вых макс
возникает при некотором определенном
напряжении U
отр опт
, называемом оптимальным. При изменении U
отр
в обе стороны от U
отр опт
из-за
изменения фазы вторичного вхождения электронов в зазор и связанного с этим изменения полной
проводимости последнего происходит уменьшение Р
вых
, сопровождающееся изменением f
г
, вплоть
до прекращения генерации. Область напряжений U
отp
, в которой имеется генерация, называется зо-
ной генерации, а изменение f
г
при изменении U
отp
называется электронной настройкой частоты. При
изменении U
отр
в широких пределах можно обнаружить
Рис. 4.35 Отражательный клистрон:
1 – окно связи; 2 – присоединительный фланец; 3 – винт механической
перестройки частоты генерации; 4 – внешний дополнительный резонатор;
5 – герметизированное окно связи; 6 – внутренний резонатор; 7 – отражатель;
8 – катод; 9 – фокусирующий электрод; 10 – сетки резонатора;
R
ф
, С
ф
– резисторы и конденсаторы для фильтрации напряжений «наводок»,
поступающих по цепям питания U
рез
, U
отр
, U
фок
– напряжения резонатора,
отражателя и фокусирования
ряд зон генерации (зоны А и Б), причем в каждой последующей зоне, соответствующей большему на-
пряжению U
отр
, величина Р
вых макс
больше, чем в предыдущей, а крутизна электронной настройки S
эл
на
линейном участке кривой f
г
(U
отр
) меньше. Однако в качестве рабочих используют только одну или две
зоны, причем соответствующие им U
отр
указывают в паспорте на клистрон.
Практически для работы используют не всю зону, а только ту ее часть, в пределах которой Р
вых
≥
0,5Р
вых макс
, т.е. изменение Р
вых
равно 3 дБ. Соответствующая этой части зоны полоса электронной на-
стройки ∆f = 20 … 50 МГц. Диапазон механической перестройки частоты составляет ± 25 %
от средней частоты.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
