ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
12
нахождения холловской подвижности µ
H
и концентрации свободных носителей
заряда N :
µ
H
= ∆R
BCDA
dσ /B (12)
N = rσ /eµ
H
(13)
3. Подвижность носителей заряда
Изучение температурной зависимости подвижности носителей заряда
позволяет выявить механизм рассеяния зарядов , а также получить некоторое
представление о поведении примесных центров в полупроводнике .
Общий вид температурной зависимости подвижности в полупроводнике
можно выразить формулой :
µ = AT
-p
,
(14)
где A - коэффициент пропорциональности, p - показатель степени, зависящий от
механизма рассеяния носителей.
Различают два механизма рассеяния. Рассеяние на ионизированных
примесных центрах и рассеяние на тепловых колебаниях решетки. Первый
реализуется при низких температурах , а второй при относительно высоких . При
рассеянии на ионизированных примесных центрах с ростом температуры
происходит увеличение подвижности по закону: µ ~ T
3/2
. В случае рассеяния на
тепловых колебаниях решетки с ростом температуры подвижность падает по
закону: µ ~ T
-3/2
. Если в полупроводнике реализуются оба механизма
одновременно, то температурную зависимость подвижности можно выразить
формулой : µ = aT
3/2
+ bT
-3/2
. При рассеянии на нейтральных примесях
подвижность практически не меняется с ростом температуры .
12
нах ож де ния х олловской подвиж ности µH и конце нтрации свободны х носите ле й
заряда N:
µH = ∆RBCDA dσ /B (12)
N = rσ /eµH (13)
3. П одви жность носи тел ейзаря да
И зуче ние те мпе ратурной зависимости подвиж ности носите ле й заряда
позволяе т вы явить ме х анизм рассе яния зарядов, а такж е получить не которое
пре дставле ние опове де нии приме сны х це нтров в полупроводнике .
О бщ ий вид те мпе ратурной зависимости подвиж ности в полупроводнике
мож новы разить ф ормулой:
µ = AT-p , (14)
где A - коэф ф ицие нт пропорциональности, p - показате ль сте пе ни, зависящ ий от
ме х анизма рассе яния носите ле й.
Различаю т два ме х анизма рассе яния. Рассе яние на ионизированны х
приме сны х це нтрах и рассе яние на те пловы х коле баниях ре ш е тки. П е рвы й
ре ализуе тся при низких те мпе ратурах , а второй при относите льновы соких . П ри
рассе янии на ионизированны х приме сны х це нтрах с ростом те мпе ратуры
происх одит уве личе ние подвиж ности позакону: µ ~ T 3/2
. В случае рассе яния на
те пловы х коле баниях ре ш е тки с ростом те мпе ратуры подвиж ность падае т по
закону: µ ~ T -3/2
. Е сли в полупроводнике ре ализую тся оба ме х анизма
одновре ме нно, то те мпе ратурную зависимость подвиж ности мож но вы разить
ф ормулой: µ = aT 3/2
+ bT -3/2
. П ри рассе янии на не йтральны х приме сях
подвиж ность практиче ски не ме няе тся с ростом те мпе ратуры .
