ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
24
Вопрос 23. Как создать потенциальный барьер и яму?
Комбинируя два типа полупроводников с различной шириной запрещенных зон
(например,
1 2
g g
E E
<
) можно получить либо потенциальный барьер, либо
потенциальную яму (рис. 11). Чтобы приготовить структуру, содержащую
потенциальный барьер, следует поместить слой полупроводника с широкой запрещенной
зоной между двумя полупроводниками с узкой запрещенной зоной. При этом электроны,
находящиеся в полупроводнике 1 слева от барьера, имеют недостаточную энергию для
его преодоления. Внутрь полупроводника 2 эти электроны попасть не могут, поскольку
значения их энергий внутри барьера запрещены – они попадают в запрещенную зону.
Несмотря на это, если размер барьера составляет несколько атомных слоев, часть
электронов способна преодолеть барьер. Чтобы приготовить структуру, содержащую
потенциальную яму, следует поместить слой полупроводника с узкой запрещенной зоной
между двумя полупроводниками с широкой запрещенной зоной. При этом электроны,
находящиеся в полупроводнике 1, т.е. внутри ямы, имеют недостаточную энергию для
того, чтобы покинуть яму, т.е. перейти в полупроводник 2.
Вопрос 24. Что такое «эффект бабочки»?
В хаотическом мире трудно предсказать, какие вариации возникнут в данное время и
в данном месте, ошибки и неопределённость нарастают экспоненциально с течением
времени. Лоренц Эдвард Нортон назвал это явление эффектом бабочки: бабочка,
взмахивающая крыльями в Айове, может вызвать лавину эффектов, которые могут
достигнуть высшей точки в дождливый сезон в Индонезии. В 1952 г. Р. Брэдбери написал
рассказ «И грянул гром», где случайная гибель бабочки в далёком прошлом изменяет мир
будущего кардинально. «Небольшие различия в начальных условиях рождают огромные
Барьер Яма
Рис. 11. Пример создания потенциального барьера и ямы при помощи
полупроводниковых
гетероструктур.
ва
лентная
зона
зона
проводимости
E
g1
E
g2
E
g1
E
g1
E
g2
E
g2
1
2
1
2
1
2
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- …
- следующая ›
- последняя »
