ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
88
тестирования (на одном полупроводниковом кристалле может быть
изготовлено несколько сот лазеров одновременно), что, как
ожидается, приведет к значительному снижению их стоимости.
Главное преимущество лазеров с прямой модуляцией –
экономическое, т.к. такие устройства намного дешевле лазеров с
внешней модуляцией. Главный недостаток – наличие паразитной
частотной модуляции (ЧМ), или чирпа (Chirp). Чирп приводит к
расширению спектра излучения и, как правило, к сокращению
дальности широкополосной передачи информации.
Светодиоды в волоконно-оптических системах связи
Светодиоды применяются в системах волоконно-оптической связи,
передающих данные на сравнительно короткие расстояния с низкими
и средними скоростями. Поскольку время жизни спонтанного
излучения в сильно возбужденных полупроводниках составляет около
1 нс, максимально достижимые скорости передачи данных в системах
со светодиодами ограничены значением 1 Гбит/с. Поэтому в
волоконно-оптических системах на основе светодиодов нельзя
получить скорости передачи данных в несколько Гбит/с. Однако
скорости передачи данных в несколько сотен Мбит/с обычно
удовлетворяют требованиям большинства систем локальной связи.
Для получения максимальной эффективности ввода излучения
светодиода в оптическое волокно область излучения светодиодов
должна быть намного меньше диаметра сердцевины волокна. Для
работы с многомодовыми волокнами, как правило, используются
светодиоды с круговыми областями излучения с диаметром 20…50
мкм. Диаметр сердцевины многомодовых кварцевых волокон обычно
равен 50…100 мкм.
Полимерные световоды могут иметь диаметры больше 1 мм,
поэтому для работы с ними могут использоваться светодиоды с
большей областью излучения.
Рассмотрим светодиод со временем нарастания сигнала
r
. При
подаче на вход светодиода ступенчатого импульса тока мощность
выходного оптического излучения увеличивается по закону:
)]/exp(1[)(
0 rout
tPtP
. (9.1)
Можно определить частотную передаточную функцию светодиода по
мощности как зависимость глубины модуляции мощности от частоты
при заданной глубине модуляции
M
тока:
1
0
)1()(
rout
iMPP
. (9.2)
88 тестирования (на одном полупроводниковом кристалле может быть изготовлено несколько сот лазеров одновременно), что, как ожидается, приведет к значительному снижению их стоимости. Главное преимущество лазеров с прямой модуляцией – экономическое, т.к. такие устройства намного дешевле лазеров с внешней модуляцией. Главный недостаток – наличие паразитной частотной модуляции (ЧМ), или чирпа (Chirp). Чирп приводит к расширению спектра излучения и, как правило, к сокращению дальности широкополосной передачи информации. Светодиоды в волоконно-оптических системах связи Светодиоды применяются в системах волоконно-оптической связи, передающих данные на сравнительно короткие расстояния с низкими и средними скоростями. Поскольку время жизни спонтанного излучения в сильно возбужденных полупроводниках составляет около 1 нс, максимально достижимые скорости передачи данных в системах со светодиодами ограничены значением 1 Гбит/с. Поэтому в волоконно-оптических системах на основе светодиодов нельзя получить скорости передачи данных в несколько Гбит/с. Однако скорости передачи данных в несколько сотен Мбит/с обычно удовлетворяют требованиям большинства систем локальной связи. Для получения максимальной эффективности ввода излучения светодиода в оптическое волокно область излучения светодиодов должна быть намного меньше диаметра сердцевины волокна. Для работы с многомодовыми волокнами, как правило, используются светодиоды с круговыми областями излучения с диаметром 20…50 мкм. Диаметр сердцевины многомодовых кварцевых волокон обычно равен 50…100 мкм. Полимерные световоды могут иметь диаметры больше 1 мм, поэтому для работы с ними могут использоваться светодиоды с большей областью излучения. Рассмотрим светодиод со временем нарастания сигнала r . При подаче на вход светодиода ступенчатого импульса тока мощность выходного оптического излучения увеличивается по закону: Pout (t ) P0 [1 exp( t / r )] . (9.1) Можно определить частотную передаточную функцию светодиода по мощности как зависимость глубины модуляции мощности от частоты при заданной глубине модуляции M тока: Pout ( ) P0 M (1 i r ) 1 . (9.2)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 86
- 87
- 88
- 89
- 90
- …
- следующая ›
- последняя »