Энергия инерциального ядерного синтеза. Недосеев С.Л. - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МФТИ | Москва

Составители: 

Рубрика: 

Рис.6
6.1. Механическая и электрическая прочность проходного изолятора системы
питания Z-пинча.
С точки зрения механической и электрической прочности, наиболее слабым
местом Рабочей Камеры (РК) ИТР с драйвером на базе Z-пинча является проходной
изолятор, отделяющий вакуумный объём РК от транспортирующей линии источника
электромагнитного инициирующего импульса. На Рис.5 этот узел обозначен как “insulator
stack”. Поверхность изолятора, обращенная внутрь камеры, в вакуум, имеет
электрическую прочность, не превышающую 100 кВ/см. Для пропускания
инициирующего импульса с напряжением 5 МВ полная высота кольцевого изолятора
должна быть не менее 1 м. Радиус кольцевого изолятора определяется
электрофизическими характеристиками транспортирующей линии источника
электромагнитного инициирующего импульса. В работе [4] он принимается равным 4 м. 
                                           Рис.6




6.1. Механическая и электрическая прочность проходного изолятора системы
питания Z-пинча.
              С точки зрения механической и электрической прочности, наиболее слабым
местом Рабочей Камеры (РК) ИТР с драйвером на базе Z-пинча является проходной
изолятор, отделяющий вакуумный объём РК от транспортирующей линии источника
электромагнитного инициирующего импульса. На Рис.5 этот узел обозначен как “insulator
stack”.   Поверхность   изолятора,    обращенная   внутрь    камеры,     в    вакуум,   имеет
электрическую     прочность,    не    превышающую      100      кВ/см.   Для     пропускания
инициирующего импульса с напряжением 5 МВ полная высота кольцевого изолятора
должна     быть   не    менее   1    м.   Радиус   кольцевого     изолятора      определяется
электрофизическими       характеристиками      транспортирующей          линии     источника
электромагнитного инициирующего импульса. В работе [4] он принимается равным 4 м.

Страницы