Фильтры, запоминающие, оптоэлектронные и другие устройства - 109 стр.

UptoLike

электронов с донорного уровня на акцепторный, причем источником
излучения служит прилегающая к p-n-переходу p-область, т.к. диффузионная
длина электронов больше диффузионной длины дырок. Изменение
температур меняет λ
0
, т.к. меняется показатель преломления материала,
размеры резонатора. Пороговый ток также зависит от температуры (рис
9.14.). Гетерогенный лазер имеет меньше I
пор
. Структура гетерогенного лазера
приведена на рис 9.15.
Инжекционные лазеры имеют I
пор
=(10-80) мА, U
пр
=(1,5-3) В, λ
max
=(0,8-
0,9) мкм, , долговечность – (10
2
-10
3
) час.
Низкая долговечность лазеров связана с деградацией-увеличением
концентрации безизлучательных центров в активной области за счет
внедрения неконтролируемых примесей и образования новых дефектов, роста
поверхностной рекомбинации.
9.4. Лазерное обрамление (сопутствующее оборудование)
Лазерное обрамление это модуляторы света, дефлекторы. Модуляция
излучения это изменение одного или нескольких параметров излучения по
заданному закону передаваемой информации. Можно менять интенсивность
измерения, длину волны λ, фазу волны φ, плоскость поляризации (ее угол
поворота).
Модулятор устройство для изменения по заданному закону
интенсивности излучения, длины волны, фазы, угла поворота плоскости
поляризации.
Дефлектор устройство для изменения по заданному закону во
времени положения луча лазера в пространстве.
Пространственно-временные модуляторы ПВМ объединяют функции
модулятора и дефлектора.
Оптические модуляторы строятся на основе использования
электрооптических или магнитооптических эффектов. Электрооптический
эффект связан с изменением показателя преломления света материала под
действием электрического поля. Используются эффекты Поккельса и Керра.
Эффект Поккельса – изменение показателя преломления света по закону:
, где n
0
– n при Е=0; r
n
- постоянная Поккельса.
При этом фазовый сдвиг
,
где l – длина кристалла.
При эффекте Керра ,
где – постоянная Керра.
Фазовый сдвиг
.
109