ВУЗ:
Составители:
трехмерных световодов является ионное легирование материалов. Система
легируется ионами Ag, Tl, Pb из расплавов солей, ионами H, He, Li, Ar, P, N,
В методом имплантации. Можно использовать тонкопленочную технологию,
напыляя окислы, нитриды, осаждая из газовой фазы, химическим
осаждением, термическим окислением, анодированием в плазме разряда. Из
кремний-органических соединений перспективны винилтриметилсилан
(BTMC), гексаметилдисилоксан (ГМДС), их смесей. Из активных
диэлектриков используются LiNbO
3
, LiTaO
3
. Световоды в LiNbO
3
получают
диффузией примесей Ti, Ni, V, W, Fe, Cr (1100
0
C). LiNbO
3
обладает большей
твердостью, легче полируется.
Интегральные световоды получаются также из полупроводниковых
соединений типа A
III
B
V
и их твердых растворов. Они удобны тем, что на их
основе получаются и лазеры, и фотоприемники. Для получения световодов
используются методы эпитаксиального выращивания, диффузии и ионной
имплантации. Пример световода из GaAs показан на рис.9.35. В подложке
изолирующего n-GaAs ориентации (110) вытравлена канавка шириной и
глубиной 1 мкм. Защитной маской служит пленка Si
3
N
4.
За счет сильного
анизотропного роста при хлоридной газофазовой эпитаксии волноводный
слой имеет форму призмы. Перспективными материалами являются
InGaAs/InP, InGaAsP/InP (рис.9.36). В плане геометрия световодных
ответвителей и разветвителей имеет вид, показанный на рис.9.37.
117
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 115
- 116
- 117
- 118
- 119
- …
- следующая ›
- последняя »
