Фильтры, запоминающие, оптоэлектронные и другие устройства - 127 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

Использование электрических полей позволяет получить U
xx
=1,1 В, I
кз
=20
мА/см
2
, η=10%.
Разработаны С на основе пленок соединений А
lll
В
V
– GdS, CuS-CdS. На
подогретую стеклянную подложку с прозрачным токопроводящим
покрытием из SnO
2
, In
2
O
3
наносят слой CdS и создают гетеропереход CuS-
CdS, далее наносят контактную пленку. Толщина CdS – (2-40) мкм, толщина
CuS (50-150) мкм. СЭ имеют U
xx
=0,58 В, I
кз
=25 мА/см
2
, η=(4-7)%.
У СЭ p-ZnTe-n-CdSe, p-ZnTe-n-CdTe, pCdTe –n-CdS, p-CdTe-n-ZnSe, p-
Cdte-nCdZnS и других η очень низок.
У СЭ из GaAs удалось получить η=(4-21)%, U
xx
=0,8 В, рабочие
температуры – до +140
0
С.
Использование линз для увеличения плотности светового потока
позволяет получить η до 35%. Но возникает проблема охлаждения СЭ.
Простейшая конструкция СЭ приведена на рис.9.55. Очень высокое η (до
66%) достигнута у СЭ с переходом жидкость – полупроводник. В
перспективе ожидается получение η до 90%.
127

Страницы