ВУЗ:
Составители:
Рис.1.54
S2
S1
C1
C3
S1
S2
C2
+E
-E
C5
C4
Вых
Вх
Вх
Инжектор
обедненная область
p-Si
Вых
Коллектор
Шина
питания
Рис.1.55
n+ n+
n+
n+
n
p-Si
Рис.1.56
C6
Время задержки сигнала
3
г
mN
T
f
=
,
Где m – число тактов,
N – число электродов,
f
г
– тактовая частота.
Сложение и разделение каналов осуществляется с применением p
+
-
области в подложке или диэлектрических областей. На рис. 1.57 приведен
42
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- …
- следующая ›
- последняя »
