ВУЗ:
Составители:
+
_
_
+
1.
+
_
+
_
Ну
2.
Ну
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
3.
Ну
+
_
+
_
4.
Рис.5.9
+
Ну
С помощью контуров с токами обеспечивается продвижение доменов,
имеющих диаметры (19 - 190) мкм, которые характерны для ортоферритов.
Однако для доменов с диаметром в несколько мкм, характерных для феррит –
гранатов, невозможно изготовить токопроводящие контуры малой ширины и
пропускающие большие токи. Поэтому в феррит – гранатовых пленках
используют свойства доменов втягиваться под нанесенные поверх пленки
феррит – граната участки пермаллоевой пленки (аппликации), новый вид
магнитостатических ловушек. Существуют два класса таких магнитостати-
ческих ловушек:
1) Клиновидные аппликации (рис. 5.8). За счет пульсирования поля
смещения домен перемещается по клиновидным аппликациям, ограниченным
направляющими полостями (все из пленки пермаллоя). Здесь быстродействие
на порядок ниже, чем при использовании контуров.
2) Т – образные или шевронные аппликации (рис. 5.9 и 5.10). Здесь
кроме перпендикулярной плоскости пленки поля смещения имеется
вращающееся поле управления Н
у
, параллельное плоскости пленки.
Вращающееся поле Н
у
создает на концах пермаллоевых аппликаций северные
(+) и южные (-) магнитные полюсы. Они притягивают или отталкивают ЦМД,
обеспечивая его перемещение. На рисунках показано, как перемещается
ЦМД, втягиваясь под ближайшие северные (+) полюсы.
Вращающееся магнитное поле создается двумя ортогональными
катушками, на которые подаются синусоидальные токи, сдвинутые по фазе
на 90
0
. Поле смещения Н
см
создается постоянным магнитом.
Пермаллоевые аппликации позволяют получить ЗУ с емкостью до 64
Мбит. Увеличить емкость ЗУ до 100 Мбит и более позволяет применение
вращающегося поля и сформированных в феррит-гранатовой пленке
ионолегированных областей с нулевыми магнитными свойствами, а также
применение двух проводниковых перфорированных пленок с большим
количеством микроотверстий.
5.3. Генерация и аннигиляция ЦМД
68
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 66
- 67
- 68
- 69
- 70
- …
- следующая ›
- последняя »
