ВУЗ:
Составители:
4. СВОЙСТВА ДИЭЛЕКТРИКОВ В ПЕРЕМЕННЫХ
ПОЛЯХ
4.1. Комплексная диэлектрическая проницаемость,
тангенс угла потерь
Поместим линейный однородный диэлектрик между обкладками плоско-
го конденсатора, находящегося под напряжением
tj
m
eUU
ω
=
, где U
m
- ам-
плитуда напряжения, ω - круговая частота, t - текущее время (рис.1).
Рис. 1
Такой конденсатор можно представить схемой замещения (рис.2).
Рис. 2
Схема замещения не отражает сути физических процессов, происходя-
щих в диэлектрике, и введена условно. Этот рисунок является схемой заме-
щения конденсатора, если ее реакция на воздействие внешнего напряжения
такая же, как у самого конденсатора, т.е. одинаковы частотные характери-
стики, равны углы сдвига фаз между током и напряжением, равны запасае-
мые и теряемые энергии. Емкость С характеризует запасаемую электриче-
скую энергию в конденсаторе, сопротивление R - потери энергии в диэлек-
трике, идущее на его нагрев. Предположим, что потери на сквозную прово-
димость и потери в обкладках конденсатора отсутствуют.
Построим векторную диаграмму токов и напряжения в реальном конден-
саторе (рис.3).
tj
m
eUU
ω
=
U
R
C
p
I
a
I
I
26
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- …
- следующая ›
- последняя »