ВУЗ:
Составители:
S
охл
–поверхностное охлаждение конденсатора;
Δt – перегрев конденсатора относительно температуры окружающей
среды, то при допустимом Δt, известном S
охл
, можно определить допустимую
P
а
, а, следовательно, и допустимую P
p
, которую и приводят в справочниках.
При протекании через конденсатор тока любой формы запасенная в
нем реактивная мощность не должна превышать приводимую в
справочниках.
Добротность конденсаторов – это отношение запасенном энергии к
энергии потерь за период. Потери энергии – это потери в сопротивлении
изоляции (на сквозную проводимость), на поляризацию диэлектрика и потери
в обкладках. Потери на поляризацию диэлектрика по сравнению с потерями в
сопротивлении изоляции и обкладках очень малы. Тогда при малом L
c
схема
замещения конденсатора представляется, как показано на рис.12.
Сопротивление изоляции – большое, сопротивление обкладок – малое.
Поэтому на низких частотах можно пренебречь R
обкл
, добротность
Q=tgφ=R
из
·w·C. На высоких частотах реактивное сопротивление емкости
шунтирует R
из
и им можно пренебречь. Тогда добротность
wCR
tgQ
обкл
1
==
ϕ
.
Отсюда и получается график зависимости добротности от частоты,
показанный на рис.13. Максимальная добротность получается на частоте,
вытекающей из равенства
wCR
wCR
обкл
из
1
=
. То есть
изобклизобкл
RRC
f
RRC
w
π
2
1
,
1
00
==
.
Можно показать, что для прямоугольных обкладок с сопротивлением
каждой R, сопротивление R
обкл
, обозначенное в схеме замещения (рис.12),
будет равно 2/3R. Для круглых обкладок коэффициент при R будет другим.
При этом максимальная добротность не может превышать величину
δ
tg
1
,
где:
δ
tg
- тангенс угла потерь в диэлектрике на поляризацию. Точнее
мак
Q
мин
tg
δ
1
=
,
где:
δ
σ α
δ
tg
gl
tg
мин
+=
2
3
8
,
ρ
σ
α
а
SR
g
из
==
,
,
14
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »