Резисторы, конденсаторы и колебательные контуры - 59 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

Для последовательного контура
K
Q
и
P
f
определяется по тем же
формулам, но
Э L
R r
≈
. Если у параллельного контура
Э
R
составляет десятки
кОм, то у последовательного — доли Ома – десятки Ом.
Полоса частот
P
K
f
f
Q
∆ =
.
При включении параллельного контура в цепь радиоэлектронного
устройства его параметры существенно отличаются от одиночного
изолированного контура вследствие влияния паразитных параметров:
емкости и сопротивления монтажа, нагрузки (рис.79), а также собственной
емкости катушки
0
C
, емкости подстроечного конденсатора
П
C
. В контур
могут также включаться дополнительные конденсаторы для
термокомпенсации частоты. Для уменьшения влияния паразитных
параметров стремятся уменьшать
0
, ,
П H
C C C
.
При шунтировании параллельного контура сопротивлением
H
R
его
резонансное сопротивление
Э
R
и
K
Q
уменьшаются в
раз. Для
ослабления влияния
H
R
применяют неполное включение контура в цепь
(рис.80). Неполное включение характеризуется коэффициентом включения
p
, который равен отношению напряжения на части контура, к которой
подсоединяется внешняя цепь, к полному напряжению на контуре. Для
трансформаторного включения
M
p
L
=
, автотрансформаторного —
L M
p
L
ў
+
=
, емкостного —
2
1 2
C
p
C C
=
+
. Сопротивление контура с
неполным включением со стороны внешней цепи
2
Э Э
R p R
ў
= Ч
.
Изменяя
p
, можно подобрать нужное сопротивление контура со
стороны внешней цепи.
Если к зажимам 1–2 (рис.80) подключать внешние
,илиL R C
, то эти
величины могут быть пересчитаны как включенные параллельно контуру по
формулам:
2
2 2
, ,
R L
R L C p C
p p
ў ў ў
= = = Ч
.
59

Страницы