ВУЗ:
Составители:
14
Рис 1.4. Схема активного теплового контроля
С точки зрения расположения ИТН и устройства регистрации
температуры относительно образца возможны две схемы активного ТК [7]. В
односторонней процедуре (reflection procedure, one-sided test) ИТН и
устройство регистрации температуры расположены с одной стороны
относительно образца. Двусторонняя процедура (transmission procedure,
two-sided test) предусматривает размещение нагревателя и регистратора по
разным сторонам относительно образца.
В Таблице 1.2 приведены сравнительные характеристики
односторонней, двухсторонней и комбинированной процедур активного
теплового контроля.
Таблица 1.2
Сравнительные характеристики процедур активного ТК
Основные черты
Схема
Импульсный
нагрев
(лампа-вспышка)
Импульс конечной
длительности
(продолжительный
нагрев)
Периодический
(гармонический)
нагрев
Произвольный нагрев
(несколько вспышек,
произвольное изменение
длительности)
Односторонняя
Близкорасположен
ные к поверхности
дефекты и/или
высокотеплопрово
дные материалы.
Высокая
производительност
ь.
Сильное влияние
глубины
расположения
дефекта.
Глубокорасположе
нные дефекты
и/или
низкотеплопровод
ные материалы.
Средняя
производительност
и. Сильное
влияние глубины
расположения
дефекта.
Частота должна
быть
оптимизирована
в соответствии с
глубиной
дефекта.
Низкая
производительн
ость.
Сильное
влияние
глубины
расположения
дефекта.
Сильное влияние глубины
расположения дефекта.
Недостаточно изучен.
Двусторонняя
Тонкие и/или
высокотеплопрово
дные материалы.
Слабое влияние
глубины дефекта.
Производительнос
ть зависит от типа
материала.
Образцы средней
толщины.
Слабое влияние
глубины дефекта.
Производительнос
ть зависит от типа
материала.
Образцы
средней
толщины.
Слабое влияние
глубины
дефекта.
Производительн
ость зависит от
типа материала.
Недостаточно изучен.
Комбинирован
ная
Совместное использование двусторонней и односторонней процедуры. Метод не
достаточно изучен.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »
