ВУЗ:
Составители:
- 4 -
Скольжение − это такое перемещение одной части кристалла
относительно другой, при котором кристаллическое строение обеих частей
остается неизменным. В области сдвига кристаллическая решетка остается
такой же, как и в обеих частях кристалла, и каждый атом в этой области
перемещается на одинаковые расстояния, составляющие целое число периодов
повторяемости решетки. Отполированная поверхность кристалла
после
деформации скольжением при рассмотрении в оптическом микроскопе
оказывается покрытой одной или несколькими системами параллельных тонких
линий, называемых линиями скольжения. Эти линии представляют собой
ступеньки на поверхности, возникающие в результате сдвига кристалла вдоль
плоскости, которая и называется плоскостью скольжения, а направление
сдвига в этой области − направлением скольжения. Комбинация данной
плоскости и направления скольжения в ней составляет систему скольжения.
Скольжение характерно для металла с объемно-центрированной (ГЦК)
кристаллической решеткой, например Fe, Cr, Mo, V, W. Двойникование –
зеркальное перемещение одной атомной плоскости относительно другой.
Двойникование характерно для металла с гранецентрированной (ОЦК)
кристаллической решеткой, например Fe, Cu, Mn, Ni, Co.
Если нагружать металл выше предела упругости, возникает остаточная
пластическая деформация, при которой после
снятия нагрузки первоначальная
форма и размеры образца не сохраняются, т. к. происходит необратимое
внутризеренное перемещение одних частот кристалла по отношению к другим,
т. е. сдвиг.
Деформация скольжением происходит под действием касательных
напряжений, превышающих критическое напряжение сдвига (τ
кр
) по
плоскостям и направлениям с максимальной плотностью атомов. Расстояние
между такими атомными плоскостями наибольшее, а связь между атомами
наименьшая.
При низких температурах и высоких скоростях деформирования (ударные
нагрузки) пластическая деформация может осуществляться двойкованием. При
этом часть кристалла сдвигается в положение, соответствующее зеркальному
отображению исходной части кристалла. При расчете для сдвига
в идеальном
кристалле требуется касательное напряжение по формуле
τ = 0.1 G, (1)
где G – модуль упругости сдвига.
В реальных же кристаллах усилие для сдвига необходимо в 100−1000 раз
меньше теоретического. Это объяснятся тем, что деформация осуществляется с
помощью сложного многообразного движения дислокаций, присутствующих в
реальном металле. При этом значение предела текучести в
кристаллических
материалах низкое. При скольжении краевая дислокация линии атомов
полуплоскости последовательно вытесняет соседний «правильный» ряд атомов
и перемещается на поверхность кристалла, где образуется ступенька. Сдвиг
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- …
- следующая ›
- последняя »
