ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
R
вх
~=2U
вхm
/2I
вхm
≈2U
вхm
/2I
бm
.
6. Рассчитываем сопротивление делителя R
1
и R
2
. Для уменьшения
шунтирующего действия делителя на входную цепь каскада по
переменному току принимают
R
1-2
≥(8÷12) R
вх~
, где R
1-2
= R
1
R
2
/( R
1
+ R
2
). Тогда
R
1
=E
пит
R
1-2
/ R
э
I
э
= E
пит
R
1-2
/ R
э
I
ко
;
R
2
= R
1
R
1-2
/( R
1
-R
1-2
).
7.
Коэффициент нестабильности работы каскада
S=
ьax
Э
Э
RR
RRR
RRRRR
β
+
++
++
1
)(
)(
21
21
2121
,
где β
max
- наибольший возможный коэффициент усиления по току
выбранного типа транзистора.
Рис.17
Для нормальной работы каскада коэффициент нестабильности не должен
превышать нескольких единиц.
8.
Определяем емкость разделительного конденсатора С
р
:
С
р
=
12
1
2
−
Н
выхН
МRf
π
;
R
вых
= R
вых т
R
к
/( R
вых т
–R
к
)+ R
Н
.
где R
вых т
- выходное сопротивление транзистора, определяемое по
выходным статическим характеристикам для схемы ОЭ. В большинстве
случаев R
вых т
» R
к
, поэтому можно принять R
вых т
≈ R
к+
R
Н
.
9.
Находим емкость конденсатора С
Э
≥10/2πf
н
R
э
.
10.
Рассчитываем коэффициент усиления каскада по напряжению:
K
U
=U
выхm
/U
вхm
.
Примечание. Приведенный порядок расчета не учитывает требований
на стабильность работы каскада.
При анализе транзисторных усилителей широкое распространение
получили h- параметры. Электрическое состояние транзистора,
включенного по схеме с ОЭ, характеризуется четырьмя величинами: I
б
,
U
бэ
, I
к
, U
кэ
. Из практических соображений удобно выбирать в качестве
независимых значений U
кэ
и I
б
, тогда
U
бэ
= f
1
(I
б
U
кэ
) и I
к
= f
2
(I
б
U
кэ
).
В усилительной схемах входным и выходным сигналами являются
приращения входных и выходных напряжений и токов.
Рис.18.
В пределах линейной части характеристик для приращений
∆U
бэ
и ∆I
к
справедливы равенства
∆U
бэ
= h
11
∆I
б
+h
12
∆U
кэ
. (5)
∆I
к
= h
21
∆I
б
+h
22
∆U
кэ
где h – параметры – соответствующие частные производные, которые
легко можно найти по семейству входных и выходных характеристик
транзистора, включенного по схеме ОЭ:
h
11
=∆U
бэ
/∆I
б
при U
кэ
= const (∆U
кэ
=0);
h
12
=∆U
бэ
/∆U
кэ
при I
б
= const (∆I
б
=0);
h
21
=∆I
к
/∆I
б
при U
кэ
= const (∆U
кэ
=0);
h
22
=∆I
к
/∆U
кэ
при I
б
= const (∆I
б
=0).
Rвх~=2Uвхm/2Iвхm≈2Uвхm/2Iбm. 10. Рассчитываем коэффициент усиления каскада по напряжению: 6. Рассчитываем сопротивление делителя R1 и R2. Для уменьшения KU=Uвыхm/Uвхm. шунтирующего действия делителя на входную цепь каскада по Примечание. Приведенный порядок расчета не учитывает требований переменному току принимают на стабильность работы каскада. R1-2≥(8÷12) Rвх~, где R1-2= R1 R2/( R1+ R2). Тогда При анализе транзисторных усилителей широкое распространение R1=Eпит R1-2/ RэIэ= Eпит R1-2/ RэIко; получили h- параметры. Электрическое состояние транзистора, R2= R1 R1-2/( R1 -R1-2). включенного по схеме с ОЭ, характеризуется четырьмя величинами: Iб, 7. Коэффициент нестабильности работы каскада Uбэ, Iк, Uкэ. Из практических соображений удобно выбирать в качестве независимых значений Uкэ и Iб, тогда RЭ ( R1 + R2 ) + R1R2 Uбэ= f1(Iб Uкэ) и Iк= f2(Iб Uкэ). S= , R1R2 В усилительной схемах входным и выходным сигналами являются RЭ ( R1 + R2 ) + приращения входных и выходных напряжений и токов. 1 + β ьax где βmax - наибольший возможный коэффициент усиления по току выбранного типа транзистора. Рис.18. В пределах линейной части характеристик для приращений Рис.17 ∆Uбэ и ∆Iк справедливы равенства Для нормальной работы каскада коэффициент нестабильности не должен ∆Uбэ= h11∆Iб+h12∆Uкэ. (5) превышать нескольких единиц. ∆Iк= h21∆Iб+h22∆Uкэ 8. Определяем емкость разделительного конденсатора Ср: где h – параметры – соответствующие частные производные, которые 1 легко можно найти по семейству входных и выходных характеристик Ср= ; 2πf Н Rвых М 2 Н − 1 транзистора, включенного по схеме ОЭ: h11=∆Uбэ/∆Iб при Uкэ= const (∆Uкэ=0); Rвых= Rвых т Rк/( Rвых т –Rк)+ RН. h12=∆Uбэ/∆Uкэ при Iб= const (∆Iб=0); где Rвых т- выходное сопротивление транзистора, определяемое по h21=∆Iк/∆Iб при Uкэ= const (∆Uкэ=0); выходным статическим характеристикам для схемы ОЭ. В большинстве h22=∆Iк/∆Uкэ при Iб= const (∆Iб=0). случаев Rвых т» Rк, поэтому можно принять Rвых т≈ Rк+ RН. 9. Находим емкость конденсатора СЭ≥10/2πfнRэ.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »