ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
0
0
0
ρ
G
V = . (2-28)
При
ρ
ρ
>
1
осадок собирается в нижней части отстойника, занимаемая им емкость
аппарата может быть:
а) частью емкости днища; в этом случае, принимая диаметр выгружного отверстия
равным d, определяют диаметр верхнего слоя осадка в цилиндрическом отстойнике
3
3
2
0
0
d
k
V
D +=
(2-29)
высота слоя по вертикали
α
tg
dD
H
2
0
0
−
= , (2-30)
в отстойнике пирамидальной формы при раннее рассчитанном соотношении
0
a
B
L
=
одна сторона верхней плоскости осадка, если пренебречь влиянием диаметра выгружного
отверстия, составляет
10
0
0
α
tga
GV
B =
(2-31)
другая
000
BaL = (2-32)
высота по вертикали
100
5.0
α
tgBH = ; (2-33)
б) частью емкости цилиндров при полном заполнении днища, тогда высота осадка в
цилиндрической части
F
DkV
H
3
20
0
= (2-34)
или частью емкости призмы при полном заполнении пирамидального днища; высота
осадка в призматической емкости отстойника
02
0
0
Bk
F
V
H −=
. (2-35)
4.2. Отстойники полунепрерывного действия
В отстойнике этого типа подача исходной смеси (системы) и разделение ее
производят непрерывно (рис. 2.2), при этом осветленная жидкость также непрерывно
отводится, а осадок собирается на дне аппарата и удаляется периодически.
Рис. 2.2. Схема пирамидального отстойника полунепрерывного действия.
G V0 = 0 . (2-28) ρ0 При ρ1 > ρ осадок собирается в нижней части отстойника, занимаемая им емкость аппарата может быть: а) частью емкости днища; в этом случае, принимая диаметр выгружного отверстия равным d, определяют диаметр верхнего слоя осадка в цилиндрическом отстойнике V D0 = 3 0 + d 3 (2-29) k2 высота слоя по вертикали D −d H0 = 0 tgα , (2-30) 2 L в отстойнике пирамидальной формы при раннее рассчитанном соотношении = a0 B одна сторона верхней плоскости осадка, если пренебречь влиянием диаметра выгружного отверстия, составляет GV0 B0 = (2-31) a 0 tgα 1 другая L0 = a 0 B0 (2-32) высота по вертикали H 0 = 0.5B0 tgα 1 ; (2-33) б) частью емкости цилиндров при полном заполнении днища, тогда высота осадка в цилиндрической части V0 k 2 D 3 H0 = (2-34) F или частью емкости призмы при полном заполнении пирамидального днища; высота осадка в призматической емкости отстойника V H 0 = 0 − k 2 B0 . (2-35) F 4.2. Отстойники полунепрерывного действия В отстойнике этого типа подача исходной смеси (системы) и разделение ее производят непрерывно (рис. 2.2), при этом осветленная жидкость также непрерывно отводится, а осадок собирается на дне аппарата и удаляется периодически. Рис. 2.2. Схема пирамидального отстойника полунепрерывного действия.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- …
- следующая ›
- последняя »