Полупроводниковые приборы. Николаева С.И. - 4 стр.

     Семестровая     работа, выполненная не для своего варианта, а также
оформленная небрежно и не по правилам, не проверяется и не оценивается.

Задание №1

     Ответить письменно на вопросы согласно варианту задания. Номера
вопросов в соответствии с вариантом приведены в Таблице 1.1.


     Вопросы:


  1. Что такое энергетические уровни, диаграмма энергетических уровней?
     Какие энергетические зоны содержит энергетическая диаграмма?
  2. Чем     отличаются     энергетические     диаграммы       проводников,
     полупроводников и диэлектриков?
  3. Собственная электропроводность полупроводников.
  4. Объяснить механизм примесной проводимости полупроводников n-
     типа.
  5. Объяснить механизм примесной проводимости полупроводников p-
     типа.
  6. Объяснить образование и принцип действия электронно-дырочного (p-
     n) перехода полупроводников.
  7. Виды пробоя p-n – перехода, их причина и последствия.
  8. Емкость и сопротивление p-n- перехода.
  9. Чем отличаются дрейфовый и диффузионный токи p-n- перехода?
  10. Как влияет на величину потенциального барьера прямое и обратное
     напряжение на p-n- переходе? Какие процессы при этом происходят?
  11. Объяснить    устройство   полупроводниковых   диодов     и   принцип
     выпрямления ими переменного тока.
  12. Стабилитрон:     определение,   условно-графическое      обозначение,
     характеристики, параметры и назначение.