ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Семестровая работа, выполненная не для своего варианта, а также
оформленная небрежно и не по правилам, не проверяется и не оценивается.
Задание №1
Ответить письменно на вопросы согласно варианту задания. Номера
вопросов в соответствии с вариантом приведены в Таблице 1.1.
Вопросы:
1. Что такое энергетические уровни, диаграмма энергетических уровней?
Какие энергетические зоны содержит энергетическая диаграмма?
2. Чем отличаются энергетические диаграммы проводников,
полупроводников и диэлектриков?
3. Собственная электропроводность полупроводников.
4. Объяснить механизм примесной проводимости полупроводников n-
типа.
5. Объяснить механизм примесной проводимости полупроводников p-
типа.
6. Объяснить образование и принцип действия электронно-дырочного (p-
n) перехода полупроводников.
7. Виды пробоя p-n – перехода, их причина и последствия.
8. Емкость и сопротивление p-n- перехода.
9. Чем отличаются дрейфовый и диффузионный токи p-n- перехода?
10. Как влияет на величину потенциального барьера прямое и обратное
напряжение на p-n- переходе? Какие процессы при этом происходят?
11. Объяснить устройство полупроводниковых диодов и принцип
выпрямления ими
переменного тока.
12. Стабилитрон: определение, условно-графическое обозначение,
характеристики, параметры и назначение.
Семестровая работа, выполненная не для своего варианта, а также оформленная небрежно и не по правилам, не проверяется и не оценивается. Задание №1 Ответить письменно на вопросы согласно варианту задания. Номера вопросов в соответствии с вариантом приведены в Таблице 1.1. Вопросы: 1. Что такое энергетические уровни, диаграмма энергетических уровней? Какие энергетические зоны содержит энергетическая диаграмма? 2. Чем отличаются энергетические диаграммы проводников, полупроводников и диэлектриков? 3. Собственная электропроводность полупроводников. 4. Объяснить механизм примесной проводимости полупроводников n- типа. 5. Объяснить механизм примесной проводимости полупроводников p- типа. 6. Объяснить образование и принцип действия электронно-дырочного (p- n) перехода полупроводников. 7. Виды пробоя p-n – перехода, их причина и последствия. 8. Емкость и сопротивление p-n- перехода. 9. Чем отличаются дрейфовый и диффузионный токи p-n- перехода? 10. Как влияет на величину потенциального барьера прямое и обратное напряжение на p-n- переходе? Какие процессы при этом происходят? 11. Объяснить устройство полупроводниковых диодов и принцип выпрямления ими переменного тока. 12. Стабилитрон: определение, условно-графическое обозначение, характеристики, параметры и назначение.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- …
- следующая ›
- последняя »