Составители:
37
Работа направлена на закрепление пионерского научного задела и на
продвижение локальности А–К–А переходов в область наноразмеров,
времен записи и переключения в область пико- и фемтосекунд,
оптимизацию сред для объемной оптической записи и поиск эффективных
систем считывания информации.
Для реализации заложенных научных идей созданы стенды с
пикосекундным лазером типа EXPLA PL 2143 (λ = 266 нм, 355 нм, 532 нм,
1060 нм, W
имп
=30 мДж, τ = 30 пс, f = 10 Гц) и фемтосекундным лазером
типа AVESTA (TiF-100-F4 λ = 710 – 950 нм, Р
ср
= 500 мВт, f = 90 МГц,
τ = 100 фс), с 10) импульсными (λ = 10,6 мкм)ТЕА-типа (Р
имп
= 10
6
Вт,
f = 500 Гц, τ = 200 нс) и щелевым (Р
ср
= 150 Вт, f = 50 – 5000 Гц, τ = 30 –
500 мкс) СО
2
-лазерами, позволяющими в максимальной степени
реализовать потенциал работы.
Для контроля за процессом разработаны схемы, созданы и оснащены
системы микрофотометрического контроля (микроскоп-спектрофотометр
МСФУ-К от ОАО «ЛОМО», увеличение – до 1000Х, спектральный
диапазон регистрации спектров и оптической плотности 350 – 900 нм,
минимальный размер фотометрируемого участка 1 мкм),
микротепловизионного контроля (тепловизор FLIR-Titanium), спектральный
диапазон 8 – 14 мкм, разрешение изображения 320 х 256, 14 бит,
максимальная частота обновления полных кадров 380 Гц скоростной
видеографии (видеокамера AOS–x–motion) и др.
Работа проводится совместно с кафедрой оптоинформационных
технологий и материалов (заведующий кафедрой – Н.В.Никоноров),
обладающей большим опытом создания и исследования оптических
материалов и всем комплексом необходимого термофизического,
оптического и испытательного оборудования и приборов.
3) Наноструктурирование тонких металлических и полупроводниковых
слоев.
Работа основана на обнаруженном в лаборатории кафедры ЛТ еще в
1967 – 70 гг. эффекте локального термохимического воздействия лазерного
излучения и, в частности, на радикальном изменении растворимости Cr при
его лазерном окислении. В последнее время этот эффект дополнен также
«микроструктурным» воздействием лазерного излучения на структуру
тонких слоев Cr, Si и, соответственно Cr
2
O
3
и SiO
2
. Оба эффекта позволяют
управлять топологией и другими параметрами структур.
Работа базируется на использовании коротких (N
2
-лазер, 0,337 мкм,
10 нс) и сверхкоротких импульсов (пикосекундный и фемтосекундный
лазеры, упомянутые выше, эксимерный ArF лазер (CL-7020,
W
имп
= 250 мДж, Р
ср
= 5 Вт, f = 20 Гц, τ = 17 нс) и коротких длин волн
(193 нм, 226 нм, 337 нм, 355 нм) для повышения разрешающей способности
метода и продвижения его в область нанометрических размеров вплоть до
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- …
- следующая ›
- последняя »
