Перспективы применения наноматериалов в космической технике. Новиков Л.С - 115 стр.

                Требования к материалам космических аппаратов

   Радиационные эффекты, обусловленные воздействием на КА
потоков заряженных частиц высокой энергии, зависят от вели-
чины полной поглощенной дозы космической радиации и от
мощности поглощенной дозы. Существуют также эффекты, вы-
зываемые воздействием одиночных заряженных частиц. Такие
эффекты, являющиеся весьма критичными для элементов микро-
электроники и оптоэлектроники, иногда рассматривают как раз-
новидность эффектов, зависящих от мощности дозы, поскольку
их возникновение связано с большим энерговыделением в ог-
раниченном объеме вещества за короткий промежуток времени.
С величиной полной поглощенной дозы связано постепенное
ухудшение свойств материалов и характеристик оборудования
КА, например, солнечных батарей. Мощность дозы оказывает
влияние на процессы люминесценции материалов при облучении
и возникновение в них радиационной проводимости. Обратимые
и необратимые изменения свойств материалов происходят за счет
всех радиационных эффектов, наблюдаемых в твердом теле:
ионизационных эффектов, эффектов переноса заряда и эффек-
тов смещения. Наиболее чувствительны к воздействию космиче-
ской радиации полупроводниковые и оптические материалы, в
меньшей степени – полимерные материалы, самую высокую
стойкость к воздействию радиации имеют металлы.
   Следует особо отметить, что проблема возникновения радиа-
ционных эффектов в элементах бортового электронного оборудо-
вания КА в результате воздействия отдельных заряженных час-
тиц, входящих в состав ГКЛ или РПЗ, является в настоящее вре-
мя чрезвычайно острой для КА с орбитами любых типов.
Существует несколько видов таких эффектов, но наиболее часто
возникают обратимые одиночные сбои (single event upsets – SEU).
Появление этой проблемы, как ни парадоксально, явилось след-
ствием технологического прогресса в микроэлектронике. В со-
временных интегральных схемах с высокой степенью интеграции
электрические заряды, управляющие их работой, оказались со-
поставимыми с зарядами, образующимися в материале микро-
схемы при прохождении тяжелых ядер ГКЛ или высокоэнергети-

                                                           115