Перспективы применения наноматериалов в космической технике. Новиков Л.С - 152 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГУ | Москва

Составители: 

Рубрика: 

Раздел 5
152
материалов разного состава. Материалы выбираются таким обра-
зом, что ближний к освещаемой поверхности слой поглощает
коротковолновое солнечное излучение, а по мере удаления слоев
от поверхности длина волны поглощаемого излучения увеличи-
вается. В результате достигается более полное использование
солнечного спектра и, соответственно, повышение эффектив-
ности фотоэлектрических преобразователей. Например, трех-
каскадный преобразователь
со структурой GaInP–GaAs–Ge
(первым указан ближний к поверхности слой) позволил полу-
чить КПД около 35%, что приблизительно в 2 раза выше по
сравнению с выпускаемыми промышленностью кремниевыми
преобразователями.
Весьма перспективными фотоэлектрическими преобразовате-
лями являются преобразователи на квантовых точках, высокая
эффективность которых достигается также за счет более полного
поглощения энергии солнечного излучения. Но в
данном случае
это обеспечивается введением в базовую область преобразовате-
ля нескольких слоев квантовых точек разного размера. Рост их
размеров по мере удаления от облучаемой поверхности влечет за
собой увеличение длины
волны поглощаемого из-
лучения. На рис. 5.26 по-
казано устройство такого
преобразователя, в базо-
вую область которого,
заключенную между сло-
ями
p и n-типов (1, 2)
введены квантовые точки
разных размеров (3), а на
внешних поверхностях
созданы омические кон-
такты (4), причем облу-
чаемая сторона преобра-
зователя имеет просвет-
ляющее покрытие (5).
Рис. 5.26. Устройство фотоэлектри-
ческого преобразователя на кванто-
вых точках
1
2
3 4
45 
Раздел 5

материалов разного состава. Материалы выбираются таким обра-
зом, что ближний к освещаемой поверхности слой поглощает
коротковолновое солнечное излучение, а по мере удаления слоев
от поверхности длина волны поглощаемого излучения увеличи-
вается. В результате достигается более полное использование
солнечного спектра и, соответственно, повышение эффектив-
ности фотоэлектрических преобразователей. Например, трех-
каскадный преобразователь со структурой GaInP–GaAs–Ge
(первым указан ближний к поверхности слой) позволил полу-
чить КПД около 35%, что приблизительно в 2 раза выше по
сравнению с выпускаемыми промышленностью кремниевыми
преобразователями.
   Весьма перспективными фотоэлектрическими преобразовате-
лями являются преобразователи на квантовых точках, высокая
эффективность которых достигается также за счет более полного
поглощения энергии солнечного излучения. Но в данном случае
это обеспечивается введением в базовую область преобразовате-
ля нескольких слоев квантовых точек разного размера. Рост их
размеров по мере удаления от облучаемой поверхности влечет за
                                      собой увеличение длины
              5            4          волны поглощаемого из-
                                      лучения. На рис. 5.26 по-
                                  1   казано устройство такого
                                      преобразователя, в базо-
                                      вую область которого,
                                      заключенную между сло-
                                      ями p и n-типов (1, 2)
                                      введены квантовые точки
                                      разных размеров (3), а на
                                  2   внешних     поверхностях
                                      созданы омические кон-
      3               4               такты (4), причем облу-
                                      чаемая сторона преобра-
   Рис. 5.26. Устройство фотоэлектри-
   ческого преобразователя на кванто- зователя имеет просвет-
   вых точках                         ляющее покрытие (5).

152

Страницы