Перспективы применения наноматериалов в космической технике. Новиков Л.С - 184 стр.

UptoLike

Раздел 6
184
Известны результаты экспериментального изучения воздейст-
вия электронов и ионов с энергиями в диапазоне ~10
2
–10
6
кэВ на
УНТ и нанокомпозиты на их основе. В частности, исследовалось
возникновение радиационных дефектов в УНТ при облучении их
электронами с энергиями до 1,25 МэВ и ионами (He, Ne, Ar,
Kr, Xe) до 3 кэВ при флюенсах ~10
16
см
–2
. Были получены данные
об образовании дефектов в наноструктурах, в целом согласую-
щиеся с результатами математического моделирования.
Результаты исследования радиационной стойкости системы
УНТ, используемой в составе полевого транзистора, к воздейст-
вию протонов с энергиями 10–35 МэВ при флюенсах 410
10
410
12
см
–2
показали, что при таком воздействии исходные харак-
теристики транзистора меняются весьма незначительно. Заклю-
чение о достаточно высокой радиационной стойкости нанотран-
зисторов, используемых в составе Flash-памяти, было сделано
также на основании эксперимента по облучению наноструктуры
ионами Br с энергией 240 МэВ.
Радиационная стойкость полимерных и композиционных ма-
териалов, содержащих наночастицы и нанотрубки, исследова-
лась при облучении их протонами с энергиями, лежащими в
двух диапазонах: 30–200 кэВ и 1–800 МэВ при флюенсах до
10
16
см
–2
. В обоих случаях было показано, что введение наност-
руктур существенно повышает радиационную стойкость исход-
ных материалов.
С помощью магнитоплазмодинамического ускорителя НИИЯФ
МГУ, позволяющего получать потоки нейтральных атомов O, Xe,
Ar и ряда других элементов с энергиями ~20–100 эВ, исследуют-
ся потери массы и изменения свойств полимерных и композици-
онных материалов под действием таких потоков
. В частности,
была изучена эффективность защиты полимеров от воздействия
атомарного кислорода с помощью тонких покрытий, наносимых
различными способами. В настоящее время начаты исследования
упоминавшегося выше метода защиты материалов путем введе-
ния в приповерхностные слои различных наночастиц и нано-
структур.
Раздел 6

   Известны результаты экспериментального изучения воздейст-
вия электронов и ионов с энергиями в диапазоне ~102–106 кэВ на
УНТ и нанокомпозиты на их основе. В частности, исследовалось
возникновение радиационных дефектов в УНТ при облучении их
электронами с энергиями до 1,25 МэВ и ионами (He, Ne, Ar,
Kr, Xe) до 3 кэВ при флюенсах ~1016 см–2. Были получены данные
об образовании дефектов в наноструктурах, в целом согласую-
щиеся с результатами математического моделирования.
   Результаты исследования радиационной стойкости системы
УНТ, используемой в составе полевого транзистора, к воздейст-
вию протонов с энергиями 10–35 МэВ при флюенсах 4⋅1010–
4⋅1012 см–2 показали, что при таком воздействии исходные харак-
теристики транзистора меняются весьма незначительно. Заклю-
чение о достаточно высокой радиационной стойкости нанотран-
зисторов, используемых в составе Flash-памяти, было сделано
также на основании эксперимента по облучению наноструктуры
ионами Br с энергией 240 МэВ.
   Радиационная стойкость полимерных и композиционных ма-
териалов, содержащих наночастицы и нанотрубки, исследова-
лась при облучении их протонами с энергиями, лежащими в
двух диапазонах: 30–200 кэВ и 1–800 МэВ при флюенсах до
1016 см–2. В обоих случаях было показано, что введение наност-
руктур существенно повышает радиационную стойкость исход-
ных материалов.
   С помощью магнитоплазмодинамического ускорителя НИИЯФ
МГУ, позволяющего получать потоки нейтральных атомов O, Xe,
Ar и ряда других элементов с энергиями ~20–100 эВ, исследуют-
ся потери массы и изменения свойств полимерных и композици-
онных материалов под действием таких потоков. В частности,
была изучена эффективность защиты полимеров от воздействия
атомарного кислорода с помощью тонких покрытий, наносимых
различными способами. В настоящее время начаты исследования
упоминавшегося выше метода защиты материалов путем введе-
ния в приповерхностные слои различных наночастиц и нано-
структур.

184