Перспективы применения наноматериалов в космической технике. Новиков Л.С - 8 стр.

UptoLike

8
водится процессам самоорганизации и самосборки наноструктур
за счет межатомных и межмолекулярных взаимодействий, по-
добно тому как это происходит в живых системах. Очевидно, что
указанный принцип, который называют также «восходящим»,
кардинально отличается от традиционного технологического
принципа «сверхувниз» («нисходящего»), реализуемого через
процессы механической обработки материалов, их химического
травления, дробления и
т.д.
Впервые идея создания веществ с требуемыми свойствами пу-
тем выстраивания отдельных атомов в нужном порядке была вы-
сказана нобелевским лауреатом Р. Фейнманом в прочитанной им
в декабре 1959 г. на заседании Американского физического об-
щества лекции под названием «There is plenty room in the bottom»,
название которой на русский язык обычно переводят как «Там
внизу еще очень
много места». Эта идея была развита американ-
ским ученым Э. Дрекслером, опубликовавшим в 1986 г. книгу
«Машины созидания: пришествие эры нанотехнологии», в кото-
рой он рассмотрел возможность создания различных механиз-
мов путем их сборки из отдельных атомов и молекул. Следует,
однако, отметить, что впервые термин «нанотехнология» был в
явном виде использован
в 1974 г. японским ученым Н. Тани-
гучи, хотя и в несколько ином смысле: в его трактовке этот тер-
мин обозначал прецизионную обработку материалов с точ-
ностью до десятых долей нанометра, т.е. до размеров атомов
или простых молекул.
Но в течение достаточно длительного времени нанотехнологи-
ческие идеи не находили практического
воплощения, прежде все-
го из-за отсутствия необходимой технической базы. Качествен-
ный скачок в ее создании был обусловлен изобретением в 1981 г.
сканирующего туннельного микроскопа, а в 1986 г. – атомно-
силового микроскопа. Работа обоих устройств основана на ис-
пользовании тонкого зонда с радиусом острия ~10 нм, прибли-
жаемого к поверхности исследуемого объекта на расстояние
около 1 нм и перемещаемого над ней с очень высокой точностью.
В первом случае информацию о рельефе поверхности несет элект-
водится процессам самоорганизации и самосборки наноструктур
за счет межатомных и межмолекулярных взаимодействий, по-
добно тому как это происходит в живых системах. Очевидно, что
указанный принцип, который называют также «восходящим»,
кардинально отличается от традиционного технологического
принципа «сверху–вниз» («нисходящего»), реализуемого через
процессы механической обработки материалов, их химического
травления, дробления и т.д.
   Впервые идея создания веществ с требуемыми свойствами пу-
тем выстраивания отдельных атомов в нужном порядке была вы-
сказана нобелевским лауреатом Р. Фейнманом в прочитанной им
в декабре 1959 г. на заседании Американского физического об-
щества лекции под названием «There is plenty room in the bottom»,
название которой на русский язык обычно переводят как «Там
внизу еще очень много места». Эта идея была развита американ-
ским ученым Э. Дрекслером, опубликовавшим в 1986 г. книгу
«Машины созидания: пришествие эры нанотехнологии», в кото-
рой он рассмотрел возможность создания различных механиз-
мов путем их сборки из отдельных атомов и молекул. Следует,
однако, отметить, что впервые термин «нанотехнология» был в
явном виде использован в 1974 г. японским ученым Н. Тани-
гучи, хотя и в несколько ином смысле: в его трактовке этот тер-
мин обозначал прецизионную обработку материалов с точ-
ностью до десятых долей нанометра, т.е. до размеров атомов
или простых молекул.
   Но в течение достаточно длительного времени нанотехнологи-
ческие идеи не находили практического воплощения, прежде все-
го из-за отсутствия необходимой технической базы. Качествен-
ный скачок в ее создании был обусловлен изобретением в 1981 г.
сканирующего туннельного микроскопа, а в 1986 г. – атомно-
силового микроскопа. Работа обоих устройств основана на ис-
пользовании тонкого зонда с радиусом острия ~10 нм, прибли-
жаемого к поверхности исследуемого объекта на расстояние
около 1 нм и перемещаемого над ней с очень высокой точностью.
В первом случае информацию о рельефе поверхности несет элект-

8