ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
91
В последние годы был теоретически обоснован и экспери-
ментально подтвержден еще один механизм деградации СБ в
результате ударных воздействий. Таким механизмом является
повреждение n-p переходов ФЭП ударной волной, распростра-
няющейся из области соударения частицы с поверхностью за-
щитного стекла СБ.
В основе рассматриваемого физического механизма лежат
представления о процессах
образования кратера непосредственно
на поверхности кремниевой пластины ФЭП, протекание которых
приводит к повреждению n-p перехода. Наиболее важным из этих
процессов является плавление полупроводниковой пластины на
глубинах залегания n-p перехода (доли микрометра), в результате
чего может происходить шунтирование n-p перехода или даже
его короткое замыкание.
При бомбардировке твердыми
частицами ФЭП с защитным
стеклом ударная волна формируется в области соударения части-
цы с поверхностью защитного стекла и далее распространяется в
глубь ФЭП, проходя границу раздела между стеклом и кремние-
вой пластиной. С помощью приведенных выше выражений мож-
но определить давление за фронтом ударной волны, сформиро-
ванной на поверхности защитного стекла
, достаточное для плав-
ления кремния в приповерхностной области ФЭП, где
располагается n-p переход.
Очевидно, что для возникновения шунтирования n-p перехода
ФЭП, снабженного защитным стеклом, значения диаметра и ско-
рости бомбардирующих частиц должны быть выше некоторых
пороговых величин, при достижении которых начинается плав-
ление кремниевой пластины и образование кратера
в ФЭП. На
рис. 5.1 приведены рассчитанные для разных материалов бомбар-
дирующей частицы зависимости отношения порогового значения
диаметра частиц d
пор
к толщине защитного стекла L от скорости
частиц v. В области скоростей v < 10 км⋅с
−1
все кривые начина-
ются от порогового значения скорости, ниже которого плавление
кремния невозможно.
В последние годы был теоретически обоснован и экспери- ментально подтвержден еще один механизм деградации СБ в результате ударных воздействий. Таким механизмом является повреждение n-p переходов ФЭП ударной волной, распростра- няющейся из области соударения частицы с поверхностью за- щитного стекла СБ. В основе рассматриваемого физического механизма лежат представления о процессах образования кратера непосредственно на поверхности кремниевой пластины ФЭП, протекание которых приводит к повреждению n-p перехода. Наиболее важным из этих процессов является плавление полупроводниковой пластины на глубинах залегания n-p перехода (доли микрометра), в результате чего может происходить шунтирование n-p перехода или даже его короткое замыкание. При бомбардировке твердыми частицами ФЭП с защитным стеклом ударная волна формируется в области соударения части- цы с поверхностью защитного стекла и далее распространяется в глубь ФЭП, проходя границу раздела между стеклом и кремние- вой пластиной. С помощью приведенных выше выражений мож- но определить давление за фронтом ударной волны, сформиро- ванной на поверхности защитного стекла, достаточное для плав- ления кремния в приповерхностной области ФЭП, где располагается n-p переход. Очевидно, что для возникновения шунтирования n-p перехода ФЭП, снабженного защитным стеклом, значения диаметра и ско- рости бомбардирующих частиц должны быть выше некоторых пороговых величин, при достижении которых начинается плав- ление кремниевой пластины и образование кратера в ФЭП. На рис. 5.1 приведены рассчитанные для разных материалов бомбар- дирующей частицы зависимости отношения порогового значения диаметра частиц dпор к толщине защитного стекла L от скорости частиц v. В области скоростей v < 10 км⋅с−1 все кривые начина- ются от порогового значения скорости, ниже которого плавление кремния невозможно. 91
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 89
- 90
- 91
- 92
- 93
- …
- следующая ›
- последняя »