Взаимодействие космических аппаратов с окружающей плазмой. Новиков Л.С. - 54 стр.

UptoLike

Составители: 

Рубрика: 

54
Как и на рис. 18, здесь стрелками с теми же обозначениями изображены
потоки заряженных частиц. Для простоты вторично-эмиссионные токи,
вызываемые ионами и электронами плазмы, не показаны.
а б
Рис. 19. Различие условий заряжения КА с проводящей (а) и непрово-
дящей (б) поверхностью при освещении его Солнцем с одной стороны
(цифровые обозначения те же, что на рис. 18)
Если поверхность КА является проводящей, избыточные электроны
с неосвещенной стороны КА могут свободно перемещаться на освещен-
ную сторону, откуда они удаляются за счет тока фотоэлектронной эмис-
сии. В результате поверхность КА заряжается положительно. На неос-
вещенной стороне происходит монотонное убывание потенциала в про-
странстве около КА и постепенное приближение его
к потенциалу
плазмы. На освещенной стороне в распределении потенциала может
наблюдаться локальный минимум, обусловленный пространственным
электронным зарядом, причем потенциал в области минимума может
стать даже отрицательным.
В случае непроводящей поверхности неосвещенная сторона КА за-
ряжается отрицательно электронами плазмы. Если величина отрица-
тельного потенциала на неосвещенной стороне значительна, потенциал
Как и на рис. 18, здесь стрелками с теми же обозначениями изображены
потоки заряженных частиц. Для простоты вторично-эмиссионные токи,
вызываемые ионами и электронами плазмы, не показаны.




                    а                      б
      Рис. 19. Различие условий заряжения КА с проводящей (а) и непрово-
      дящей (б) поверхностью при освещении его Солнцем с одной стороны
                  (цифровые обозначения те же, что на рис. 18)


   Если поверхность КА является проводящей, избыточные электроны
с неосвещенной стороны КА могут свободно перемещаться на освещен-
ную сторону, откуда они удаляются за счет тока фотоэлектронной эмис-
сии. В результате поверхность КА заряжается положительно. На неос-
вещенной стороне происходит монотонное убывание потенциала в про-
странстве около КА и постепенное приближение его к потенциалу
плазмы. На освещенной стороне в распределении потенциала может
наблюдаться локальный минимум, обусловленный пространственным
электронным зарядом, причем потенциал в области минимума может
стать даже отрицательным.
   В случае непроводящей поверхности неосвещенная сторона КА за-
ряжается отрицательно электронами плазмы. Если величина отрица-
тельного потенциала на неосвещенной стороне значительна, потенциал
                                     54