ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
71
го тока вторичной электронной эмиссии под действием электронов хо-
лодной плазменной компоненты. Именно эта составляющая тока опре-
деляет подъем вольт-амперной характеристики
J
1
в области значений
отрицательного потенциала поверхности менее 1 кВ. Равновесное со-
стояние в данном случае наступает при небольшом положительном по-
тенциале поверхности тела (3-10 В) в режиме торможения уходящих с
поверхности вторичных электронов, энергетический спектр которых
описывается максвелловской функцией с температурой
kT~2-5 эВ. Уча-
сток вольт-амперной характеристики, соответствующий этому режиму
заряжения и представляющий собой очень быстро падающую экспонен-
ту в области положительных значений потенциала, не показан на рис.
23а. Напомним, что такая же вольт-амперная характеристика в области
положительных значений потенциала поверхности описывает заряже-
ние освещенного Солнцем тела в случае преобладания
тока фотоэлек-
тронной эмиссии над первичным электронным током.
На рис. 23б приведены аналогичные вольт-амперные характеристи-
ки, рассчитанные для сферы с низкими значениями коэффициентов вто-
ричной эмиссии. В этом случае кривая полного тока не имеет рассмот-
ренной выше особенности. Кривая имеет только одно пересечение с
осью абсцисс, соответствующее условию устойчивого
равновесия.
Рис. 23. Вольт-амперные характеристики для сферы с высокими (а) и низкими
(б) значениями коэффициентов вторичной эмиссии: 1 – J
1
; 2 – J
2
; 3 – J = J
1
+ J
2
б
Потен
ц
иал
,
кВ
J
,
10
–7
А
1
3
2
–
8
–
6
–
4
–
20
–
10
0
5
10
15
–
5
а
Потенциал
,
кВ
J
,
10
–7
А
1
3
2
–
8
–
6
–
4
–
20
–
10
0
5
10
15
–
5
го тока вторичной электронной эмиссии под действием электронов хо- лодной плазменной компоненты. Именно эта составляющая тока опре- деляет подъем вольт-амперной характеристики J1 в области значений отрицательного потенциала поверхности менее 1 кВ. Равновесное со- стояние в данном случае наступает при небольшом положительном по- тенциале поверхности тела (3-10 В) в режиме торможения уходящих с поверхности вторичных электронов, энергетический спектр которых описывается максвелловской функцией с температурой kT~2-5 эВ. Уча- сток вольт-амперной характеристики, соответствующий этому режиму заряжения и представляющий собой очень быстро падающую экспонен- ту в области положительных значений потенциала, не показан на рис. 23а. Напомним, что такая же вольт-амперная характеристика в области положительных значений потенциала поверхности описывает заряже- ние освещенного Солнцем тела в случае преобладания тока фотоэлек- тронной эмиссии над первичным электронным током. J, 10–7 А J, 10–7 А 15 15 10 10 1 1 5 5 3 3 0 0 2 2 –5 –5 –10 –10 –8 –6 –4 –2 0 –8 –6 –4 –2 0 Потенциал, кВ Потенциал, кВ а б Рис. 23. Вольт-амперные характеристики для сферы с высокими (а) и низкими (б) значениями коэффициентов вторичной эмиссии: 1 – J1; 2 – J2; 3 – J = J1 + J2 На рис. 23б приведены аналогичные вольт-амперные характеристи- ки, рассчитанные для сферы с низкими значениями коэффициентов вто- ричной эмиссии. В этом случае кривая полного тока не имеет рассмот- ренной выше особенности. Кривая имеет только одно пересечение с осью абсцисс, соответствующее условию устойчивого равновесия. 71
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 69
- 70
- 71
- 72
- 73
- …
- следующая ›
- последняя »