ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
81
()
()
(
)
(
)
(
)
(
)
∫
′
′
−
′
∫
+
′
′
−
′
′
−
′
∫
+
′
′
−
′
=
VSS
VdSdSd
rr
r
rr
nrrr
rr
r
r
ρμϑ
ϕ
3
,
где
()
r
ϑ
– плотность заряда на элементе поверхности dS,
(
)
r
μ
–
плотность дипольного момента двойного электрического слоя;
ρ(r) –
плотность объемного заряда в элементе
dV, n – вектор нормали к эле-
менту поверхности
dS.
На основании этого выражения строится упоминавшаяся выше сис-
тема линейных уравнений, численное решение которой позволяет полу-
чить распределение потенциала на поверхности КА и в прилегающем
пространстве.
Структура вычислительного комплекса
Структурная схема программного вычислительного комплекса, ис-
пользуемого при анализе электризации КА, показана на рис 25. Эта схе-
ма является общей для случаев электризации высокоорбитальных и
низкоорбитальных КА. При ее конкретной реализации учитываются
описанные выше особенности электризации КА в этих двух случаях.
Исходные данные для проведения расчетов формируются в интерак-
тивном режиме с
помощью пользовательского графического интерфей-
са. Входная информация,
обрабатываемая соответствующими подпро-
граммами, включает в себя описание
расчетной модели КА, задание
электрофизических характеристик и свойств конструкционных мате-
риалов, используемых в данном расчете, из
базы данных конструкцион-
ных материалов КА
, геофизических условий в блоках задания пара-
метров космической плазмы
. При построении расчетной геометриче-
ской модели производится описанная выше
дискретизация поверхности
КА. Для проведения расчетов значений потенциалов и электрических
полей, а также траекторий движения частиц в окрестности КА по задан-
ным размерам и числу разбиений
расчетной области пространства
проводится
дискретизация пространства трехмерной сеткой. При этом
определяются ячейки сетки, занятые элементами поверхности КА.
ϑ (r′) μ (r′)((r − r′)n′) ρ (r′)
ϕ (r ) = ∫ dS ′ + ∫ dS ′ + ∫ dV ′ ,
r − r′ r − r′
3
S S r − r′ V
где ϑ (r ) – плотность заряда на элементе поверхности dS, μ (r ) –
плотность дипольного момента двойного электрического слоя; ρ(r) –
плотность объемного заряда в элементе dV, n – вектор нормали к эле-
менту поверхности dS.
На основании этого выражения строится упоминавшаяся выше сис-
тема линейных уравнений, численное решение которой позволяет полу-
чить распределение потенциала на поверхности КА и в прилегающем
пространстве.
Структура вычислительного комплекса
Структурная схема программного вычислительного комплекса, ис-
пользуемого при анализе электризации КА, показана на рис 25. Эта схе-
ма является общей для случаев электризации высокоорбитальных и
низкоорбитальных КА. При ее конкретной реализации учитываются
описанные выше особенности электризации КА в этих двух случаях.
Исходные данные для проведения расчетов формируются в интерак-
тивном режиме с помощью пользовательского графического интерфей-
са. Входная информация, обрабатываемая соответствующими подпро-
граммами, включает в себя описание расчетной модели КА, задание
электрофизических характеристик и свойств конструкционных мате-
риалов, используемых в данном расчете, из базы данных конструкцион-
ных материалов КА, геофизических условий в блоках задания пара-
метров космической плазмы. При построении расчетной геометриче-
ской модели производится описанная выше дискретизация поверхности
КА. Для проведения расчетов значений потенциалов и электрических
полей, а также траекторий движения частиц в окрестности КА по задан-
ным размерам и числу разбиений расчетной области пространства
проводится дискретизация пространства трехмерной сеткой. При этом
определяются ячейки сетки, занятые элементами поверхности КА.
81
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 79
- 80
- 81
- 82
- 83
- …
- следующая ›
- последняя »
