ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
85
Одним из наиболее наглядных способов представления распределе-
ния потенциала в окрестности КА является изображение структуры эк-
випотенциалей в различных координатных плоскостях. Отметим, что в
данном случае, в отличие от представления траекторий движения заря-
женных частиц, показываются сечения трехмерной структуры электри-
ческого поля координатными плоскостями.
На рис. 28 приведены конфигурации эквипотенциалей
электрическо-
го поля в окрестности КА при его заряжении в горячей магнитосферной
плазме, для которой радиус дебаевского экранирования значительно
превышает характерные размеры КА. В отсутствие освещения КА (рис.
28а) конфигурация эквипотенциалей вблизи поверхности в значитель-
ной степени определяется формой элементов конструкции аппарата, а
на достаточном удалении от КА картина эквипотенциалей
становится
симметричной. При освещении одной стороны КА Солнцем (рис. 28б)
картина эквипотенциалей имеет ярко выраженную асимметрию, что
обусловлено значительным снижением потенциала на освещенной сто-
роне за счет тока фотоэлектронной эмиссии. Значения потенциалов (в
вольтах) в окрестности КА указаны цифрами на эквипотенциалях.
а б
Рис. 28. Конфигурация эквипотенциалей электрического поля в окрестности КА:
а – в отсутствие освещения; б – при освещении Солнцем с одной стороны
СВЕТ
Одним из наиболее наглядных способов представления распределе- ния потенциала в окрестности КА является изображение структуры эк- випотенциалей в различных координатных плоскостях. Отметим, что в данном случае, в отличие от представления траекторий движения заря- женных частиц, показываются сечения трехмерной структуры электри- ческого поля координатными плоскостями. На рис. 28 приведены конфигурации эквипотенциалей электрическо- го поля в окрестности КА при его заряжении в горячей магнитосферной плазме, для которой радиус дебаевского экранирования значительно превышает характерные размеры КА. В отсутствие освещения КА (рис. 28а) конфигурация эквипотенциалей вблизи поверхности в значитель- ной степени определяется формой элементов конструкции аппарата, а на достаточном удалении от КА картина эквипотенциалей становится симметричной. При освещении одной стороны КА Солнцем (рис. 28б) картина эквипотенциалей имеет ярко выраженную асимметрию, что обусловлено значительным снижением потенциала на освещенной сто- роне за счет тока фотоэлектронной эмиссии. Значения потенциалов (в вольтах) в окрестности КА указаны цифрами на эквипотенциалях. СВЕТ а б Рис. 28. Конфигурация эквипотенциалей электрического поля в окрестности КА: а – в отсутствие освещения; б – при освещении Солнцем с одной стороны 85
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 83
- 84
- 85
- 86
- 87
- …
- следующая ›
- последняя »