Составители:
Рубрика:
2
тех или иных условиях (уровень рассеиваемой мощности, режим те-
пловыделения, температура окружающей прибор среды, условия те-
плооотвода от корпуса прибора).
Подобные задачи могут быть решены как теоретически, так и экспери-
ментально. При этом экспериментальные методы обладают существенными
преимуществами перед теоретическими. Путём экспериментального измере-
ния температуры активной зоны кристалла можно учесть неоднородность
используемых материалов, нелинейность зависимости температуры от вели-
чины рассеиваемой мощности. Поэтому контроль интегральных теплофизи-
ческих характеристик уже изготовленных приборов следует производить
экспериментально.
Кроме теплового пробоя причиной выхода полупроводниковых прибо-
ров из строя является зенеровский и лавинный пробой. Последние возникают
из–за большой напряженности электрического поля вследствие большого об-
ратного напряжения на p–n переходе. При этом носители заряда, движущиеся
через p-n переход, ускоряются настолько, что при соударении с атомами в
зоне p-n-перехода ионизируют их. В результате генерируются пары элек-
трон-дырка. Вновь появившиеся носители заряда ускоряются электрическим
полем и, в свою очередь, могут вызывать ионизацию других атомов и т. д.
Процесс ударной ионизации идёт лавинообразно и также увеличивается ко-
личество носителей заряда и обратный ток.
При этом зенеровский пробой более вероятен для низковольтных (низ-
коомных) приборов, в тоже время как лавинный – для высоковольтных
(сравнительно высокоомных). При обоих последних видах пробоя происхо-
дит так называемая потеря электрической прочности p-n перехода и если ус-
ловия во внешней цепи прибора этому не препятствуют (она не высокоомна)
то зенеровский и лавинный пробой переходят в тепловой с локальным про-
плавлением структуры кристалла и другими приметами катастрофического
отказа прибора.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- …
- следующая ›
- последняя »
