ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
18
установившегося значения мощности. Часто быстродействие источников
излучения оценивается максимальной частотой модуляции f
mах
. Для СИД эта
частота может достигать f
mах
= 200МГц. Ограничение частоты модуляции СИД
связано со временем жизни неосновных носителей.
Времена нарастания и спада позволяют получить информацию о полосе
пропускания ∆F. Если предположить, что они равны между собой (а это не всегда
так), то полосу пропускания можно определить по приближенной формуле:
нар
F
τ
35,0
=∆
[Гц], (3)
из которой следует, что время нарастания в несколько наносекунд приводит к
значениям ширины полосы пропускания в десятки и сотни мегагерц. Например,
время нарастания τ
нар
=5нс позволяет работать в полосе ∆F=70МГц, а время
нарастания τ
нар
=1нс – в полосе ∆F=350МГц.
Срок службы. По мере эксплуатации источника излучения его
характеристики постепенно ухудшаются – падает мощность излучения, и, в конце
концов, он выходит из строя. Это связано с деградацией полупроводникового
слоя. Надёжность полупроводникового излучателя определяется средней
наработкой на отказ. Наработка на отказ СИД составляет 50тыс. часов или более
5 – 8 лет. Гарантируемое время службы источника определяется уровнем
50%
(3дБ) уменьшения выходной мощности.
3 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРНЫЕ ДИОДЫ (ЛД)
Полупроводниковый лазерный диод – это излучающий полупроводниковый
прибор, как правило, с двойным гетеропереходом, предназначенным для
непосредственного преобразования электрической энергии в энергию
вынужденного светового излучения.
У ЛД излучение индуцированное, поляризованное и когерентное.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- …
- следующая ›
- последняя »
