Электронные компоненты систем оптической связи. Полупроводниковые лазеры и светоизлучающие диоды. Передающие оптоэлектронные модули - 25 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

3.4 Устройство ЛД

Наиболее распространены на сегодняшний день ЛД с двойной

гетероструктурой (ДГС), которая образована переходами типа N-p-P и P-p-N. При

их изготовлении требуется тщательная отработка технологического цикла,

поскольку в области переходов происходит контакт двух различных материалов,

отличающихся строением кристаллической решётки. От качества выращивания

такой структуры в целом зависят все эксплуатационные характеристики

излучателя.

За счёт применения ДГС появляется возможность:

− увеличения эффективности инжекции;

− увеличения внутренней квантовой эффективности;

− уменьшения потерь излучения на поглощение в материале ЛД.

На рисунке 10 показана упрощённая схема ЛД на основе ДГС типа N-p-P.

Она представляет собой поперечный разрез анализируемого элемента. Как

правило, в современных ЛД используется осевое излучение, при котором

формируемый поток фотонов распространяется вдоль обеднённого слоя.

Рисунок 10 – Схема поперечного сечения полоскового лазера типа P-p-N

Активная область представляет собой материал с более высоким значением

диэлектрической проницаемости. На её границах формируемая волна может