Системы генерирования электрической энергии с использованием возобновляемых энергоресурсов. Обухов С.Г. - 42 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис.3.1. Принципиальная схема элементарного

полупроводникового термоэлектрического генератора

В полупроводниковых ТЭГ одновременно используют

полупроводники двух типов –

n и p. Эффективность ТЭГ

обеспечивается существенной разнородностью структуры ветвей 4 и 9.

В качестве материалов термоэлементов наибольшее распространение

получили материалы на основе теллуридов и селенидов свинца, висмута

и сурьмы. Тепло

подводится к термоэлементу через стенку

нагревателя 1 с помощью теплоносителя (например,

жидкометаллического), тепловой трубы или при непосредственном

контакте с зоной тепловыделения реактора. Через стенку 7

холодильника тепло

отводится от ТЭГ (излучением, теплоносителем

или тепловой трубой). Спаи полупроводниковых кристаллических

термостолбиков 4 и 9 образованы металлическими шинами 3 и 5, 8,

которые электрически изолированы от стенок 1 и 7 слоями диэлектрика

2, 6. Из-за повышенной химической активности и малой механической

прочности полупроводниковых материалов соединение их с шинами 3,

5, 8 выполняется прослойками из сплава кремний-бор. Для достижения

стабильной

работы батарея герметизирована металлической кассетой,

заполненной аргоном.

КПД современных полупроводниковых ТЭГ превышает 10 % и

ведутся интенсивные исследования по созданию полупроводников,

способных работать при высоких температурах.

Термоэлектрические генераторы обладают принципиальными

преимуществами перед другими источниками электропитания:

• имеют длительный срок службы, практически неограниченный

срок хранения при полной готовности к работе, не требуют

специального обслуживания;