Исследование усилительных каскадов на полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом. Охремчик С.А. - 37 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

5. Задания к лабораторной работе
5.1. Исследование ВАХ ПТ
Указание. При исследовании ВАХ для создания требуемой разности
потенциалов (смещения) между стоком и истоком ПТ используется внеш-
ний источник напряжения. Для создания разности потенциалов между за-
твором и истоком ПТ применяется внутренний источник питания GB1.
5.1.1. Исследование управляющих ВАХ
Используя перемычки, соберите схему для измерения ВАХ, показан-
ную на рис. 14. По методике, изложенной в п. 2.2 экспериментальной час-
ти, измерьте управляющие ВАХ
I
C
= f(U
ЗИ
) при фиксированных значениях
напряжения сток-исток
U
СИ
=
U
СИ0
= 10 В, 8 В, 6 В. Постройте полученные
зависимости
I
C
= f(U
ЗИ
) при разных значениях U
СИ0
на одном графике.
По графикам управляющих ВАХ определите крутизну
S транзистора
при
U
ЗИ
= –2 В, –1,5 В, –1 В, –0,5 В для одной из ВАХ (при U
СИ0
= 8 В).
Сделайте вывод о характере зависимости крутизны
S от напряжения U
ЗИ
.
5.1.2. Исследование выходных ВАХ
По методике, изложенной в п. 2.3 экспериментальной части работы,
измерьте выходные ВАХ
I
C
= f(U
СИ
) при фиксированных значениях напря-
жения затвор-исток
U
ЗИ
= U
ЗИ0
= –2 В, –1,5 В, –1 В. Постройте полученные
зависимости
I
C
= f(U
СИ
) при разных значениях U
ЗИ0
на одном графике.
По графикам выходных ВАХ приближенно определите напряжение на-
сыщения
U
СИ НАС
для каждой ВАХ (для U
ЗИ0
= –2 В, –1,5 В, –1 В). Напряже-
нием насыщения
U
СИ НАС
, согласно рис. 4, является напряжение сток-исток
U
СИ
, соответствующее нижней границе области насыщения (пологой части
ВАХ). При
U
СИ
> U
СИ НАС
ток I
С
почти не меняется с увеличением U
СИ
.
По графикам выходных ВАХ определите выходное сопротивление
R
i
тран-
зистора в области насыщения для каждой ВАХ (для
U
ЗИ0
= –2 В,–1,5 В, –1 В).
При этом следует считать область насыщения приближенно линейной, так
что для каждой ВАХ достаточно определить сопротивление
R
i
при одном
значении
U
СИ
в середине области насыщения.
5.1.3. Исследование статического коэффициента усиления
Руководствуясь методикой, приведенной в п. 3.3 экспериментальной
части, определите значение статического коэффициента усиления
M в об-
ласти насыщения выходной ВАХ для всех
U
ЗИ
= U
ЗИ0
= –2 В, –1,5 В, –1 В.
Для этих же значений
U
ЗИ0
рассчитайте коэффициент M по формуле
M = S R
i
(9). Здесь в качестве S и R
i
используйте полученные в п. 5.1.1, 5.1.2
значения этих параметров для соответствующих напряжений
U
ЗИ
= U
ЗИ0.
5.2. Исследование характеристик усилительных каскадов на ПТ
Указание. При исследовании ВАХ для создания требуемой разности
потенциалов (смещения) между стоком и истоком ПТ используется внут-
ренний источник питания GB2 макета.
37
                      5. Задания к лабораторной работе

                        5.1. Исследование ВАХ ПТ
   Указание. При исследовании ВАХ для создания требуемой разности
потенциалов (смещения) между стоком и истоком ПТ используется внеш-
ний источник напряжения. Для создания разности потенциалов между за-
твором и истоком ПТ применяется внутренний источник питания GB1.
                  5.1.1. Исследование управляющих ВАХ
    Используя перемычки, соберите схему для измерения ВАХ, показан-
ную на рис. 14. По методике, изложенной в п. 2.2 экспериментальной час-
ти, измерьте управляющие ВАХ IC = f(UЗИ) при фиксированных значениях
напряжения сток-исток UСИ = UСИ0 = 10 В, 8 В, 6 В. Постройте полученные
зависимости IC = f(UЗИ) при разных значениях UСИ0 на одном графике.
    По графикам управляющих ВАХ определите крутизну S транзистора
при UЗИ = –2 В, –1,5 В, –1 В, –0,5 В для одной из ВАХ (при UСИ0 = 8 В).
Сделайте вывод о характере зависимости крутизны S от напряжения UЗИ.
                    5.1.2. Исследование выходных ВАХ
    По методике, изложенной в п. 2.3 экспериментальной части работы,
измерьте выходные ВАХ IC = f(UСИ) при фиксированных значениях напря-
жения затвор-исток UЗИ = UЗИ0 = –2 В, –1,5 В, –1 В. Постройте полученные
зависимости IC = f(UСИ) при разных значениях UЗИ0 на одном графике.
    По графикам выходных ВАХ приближенно определите напряжение на-
сыщения UСИ НАС для каждой ВАХ (для UЗИ0 = –2 В, –1,5 В, –1 В). Напряже-
нием насыщения UСИ НАС, согласно рис. 4, является напряжение сток-исток
UСИ, соответствующее нижней границе области насыщения (пологой части
ВАХ). При UСИ > UСИ НАС ток IС почти не меняется с увеличением UСИ.
    По графикам выходных ВАХ определите выходное сопротивление Ri тран-
зистора в области насыщения для каждой ВАХ (для UЗИ0 = –2 В,–1,5 В, –1 В).
При этом следует считать область насыщения приближенно линейной, так
что для каждой ВАХ достаточно определить сопротивление Ri при одном
значении UСИ в середине области насыщения.
       5.1.3. Исследование статического коэффициента усиления
   Руководствуясь методикой, приведенной в п. 3.3 экспериментальной
части, определите значение статического коэффициента усиления M в об-
ласти насыщения выходной ВАХ для всех UЗИ = UЗИ0 = –2 В, –1,5 В, –1 В.
   Для этих же значений UЗИ0 рассчитайте коэффициент M по формуле
M = S Ri (9). Здесь в качестве S и Ri используйте полученные в п. 5.1.1, 5.1.2
значения этих параметров для соответствующих напряжений UЗИ = UЗИ0.
   5.2. Исследование характеристик усилительных каскадов на ПТ
   Указание. При исследовании ВАХ для создания требуемой разности
потенциалов (смещения) между стоком и истоком ПТ используется внут-
ренний источник питания GB2 макета.
                                     37

Страницы