ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Следовательно,  возрастает  электрическое  сопротивление  R
СИ
  канала  и 
уменьшается ток I
С
, протекающий через канал под действием приложенно-
го к нему напряжения U
СИ
. 
При достаточно большом обратном смещении на затворе, когда напря-
жение |U
ЗИ
| велико, обедненный слой p-n-перехода перекрывает весь канал 
и  поперечное  сечение  канала  становится  практически  равным  нулю. 
В этом случае сопротивление R
СИ
 канала весьма велико и ток в канале (ток 
стока  I
С
)  практически  равен  нулю.  Напряжение  на  затворе  U
ЗИ
,  при кото-
ром  ток  канала  становится  практически  равным  нулю,  называется  напря-
жением отсечки U
ЗИ
 = U
ЗИ ОТС.
Таким  образом,  меняя  напряжение  U
ЗИ
  между  затвором  и  истоком, 
можно регулировать ток стока I
С
 (ток в канале) ПТ. При этом для ПТ с ка-
налом n-типа должно быть U
ЗИ
 ≤ 0, а для ПТ с каналом p-типа U
ЗИ
 ≥ 0 . 
Отметим,  что  приложенное  между  истоком  и  стоком  напряжение  U
СИ
также меняет конфигурацию канала, так как потенциал самого канала ме-
няется от истока к стоку под действием этого напряжения. Вследствие это-
го  напряжение  на  p-n-переходе  вблизи  стока  равно  U
ЗИ
–U
СИ
  и отличается 
от напряжения U
ЗИ
 на переходе вблизи истока. В результате, область обед-
ненного слоя p-n-перехода около стока расширяется и становится больше, 
чем у истока (как показано заштрихованной областью на рис. 1). При этом 
поперечное сечение канала около стока будет меньше, чем около истока.  
Особенности и достоинства ПТ сводятся к следующему. 
Во-первых, полевой транзистор (ПТ) существенно отличается от бипо-
лярного  транзистора (БТ)  принципом  действия.  В  БТ  управление  выход-
ным током транзистора производится с помощью входного тока, а в ПТ – с 
помощью входного напряжения (или электрического поля). 
Как  отмечалось  раньше,  p-n-переход  затвора  ПТ  смещен  в  обратном 
направлении напряжением U
ЗИ
 и, следовательно, закрыт. Поэтому входная 
проводимость ПТ очень мала, а входное сопротивление ПТ весьма велико 
5
. 
При  этом в  цепи  затвора протекает лишь  малый  ток обратно смещенного 
перехода. Поэтому мощность, необходимая для управления током стока и 
потребляемая от  источника входного сигнала  в цепи затвора, оказывается 
очень  малой.  Следовательно,  ПТ  может  обеспечить  усиление  электриче-
ских сигналов как по току и напряжению, так и по мощности. 
Во-вторых,  ПТ  могут  обладать  более  низким  уровнем  шума,  чем  БТ 
(особенно на низких частотах). Это объясняется тем, что в ПТ не исполь-
зуется явление инжекции не основных носителей заряда и, следовательно, 
отсутствуют процессы рекомбинации носителей в p-n-переходах.  
В-третьих, в ПТ отсутствуют процессы изменения (накопления и расса-
сывания)  объёмного  заряда  не  основных  носителей,  заметно  снижающие 
быстродействие БТ при их использовании в качестве электронных ключей. 
5
 Это справедливо для постоянного тока и переменного тока низкой частоты. На высо-
ких частотах на  входное сопротивление ПТ оказывают влияние емкости между затво-
ром и другими электродами.  
 5
Следовательно, возрастает электрическое сопротивление RСИ канала и
уменьшается ток IС, протекающий через канал под действием приложенно-
го к нему напряжения UСИ.
    При достаточно большом обратном смещении на затворе, когда напря-
жение |UЗИ| велико, обедненный слой p-n-перехода перекрывает весь канал
и поперечное сечение канала становится практически равным нулю.
В этом случае сопротивление RСИ канала весьма велико и ток в канале (ток
стока IС) практически равен нулю. Напряжение на затворе UЗИ, при кото-
ром ток канала становится практически равным нулю, называется напря-
жением отсечки UЗИ = UЗИ ОТС.
    Таким образом, меняя напряжение UЗИ между затвором и истоком,
можно регулировать ток стока IС (ток в канале) ПТ. При этом для ПТ с ка-
налом n-типа должно быть UЗИ ≤ 0, а для ПТ с каналом p-типа UЗИ ≥ 0 .
    Отметим, что приложенное между истоком и стоком напряжение UСИ
также меняет конфигурацию канала, так как потенциал самого канала ме-
няется от истока к стоку под действием этого напряжения. Вследствие это-
го напряжение на p-n-переходе вблизи стока равно UЗИ–UСИ и отличается
от напряжения UЗИ на переходе вблизи истока. В результате, область обед-
ненного слоя p-n-перехода около стока расширяется и становится больше,
чем у истока (как показано заштрихованной областью на рис. 1). При этом
поперечное сечение канала около стока будет меньше, чем около истока.
    Особенности и достоинства ПТ сводятся к следующему.
    Во-первых, полевой транзистор (ПТ) существенно отличается от бипо-
лярного транзистора (БТ) принципом действия. В БТ управление выход-
ным током транзистора производится с помощью входного тока, а в ПТ – с
помощью входного напряжения (или электрического поля).
    Как отмечалось раньше, p-n-переход затвора ПТ смещен в обратном
направлении напряжением UЗИ и, следовательно, закрыт. Поэтому входная
проводимость ПТ очень мала, а входное сопротивление ПТ весьма велико 5 .
При этом в цепи затвора протекает лишь малый ток обратно смещенного
перехода. Поэтому мощность, необходимая для управления током стока и
потребляемая от источника входного сигнала в цепи затвора, оказывается
очень малой. Следовательно, ПТ может обеспечить усиление электриче-
ских сигналов как по току и напряжению, так и по мощности.
    Во-вторых, ПТ могут обладать более низким уровнем шума, чем БТ
(особенно на низких частотах). Это объясняется тем, что в ПТ не исполь-
зуется явление инжекции не основных носителей заряда и, следовательно,
отсутствуют процессы рекомбинации носителей в p-n-переходах.
    В-третьих, в ПТ отсутствуют процессы изменения (накопления и расса-
сывания) объёмного заряда не основных носителей, заметно снижающие
быстродействие БТ при их использовании в качестве электронных ключей.
5
 Это справедливо для постоянного тока и переменного тока низкой частоты. На высо-
ких частотах на входное сопротивление ПТ оказывают влияние емкости между затво-
ром и другими электродами.
                                        5
Страницы
- « первая
 - ‹ предыдущая
 - …
 - 3
 - 4
 - 5
 - 6
 - 7
 - …
 - следующая ›
 - последняя »
 
