ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Следовательно, возрастает электрическое сопротивление R
СИ
канала и
уменьшается ток I
С
, протекающий через канал под действием приложенно-
го к нему напряжения U
СИ
.
При достаточно большом обратном смещении на затворе, когда напря-
жение |U
ЗИ
| велико, обедненный слой p-n-перехода перекрывает весь канал
и поперечное сечение канала становится практически равным нулю.
В этом случае сопротивление R
СИ
канала весьма велико и ток в канале (ток
стока I
С
) практически равен нулю. Напряжение на затворе U
ЗИ
, при кото-
ром ток канала становится практически равным нулю, называется напря-
жением отсечки U
ЗИ
= U
ЗИ ОТС.
Таким образом, меняя напряжение U
ЗИ
между затвором и истоком,
можно регулировать ток стока I
С
(ток в канале) ПТ. При этом для ПТ с ка-
налом n-типа должно быть U
ЗИ
≤ 0, а для ПТ с каналом p-типа U
ЗИ
≥ 0 .
Отметим, что приложенное между истоком и стоком напряжение U
СИ
также меняет конфигурацию канала, так как потенциал самого канала ме-
няется от истока к стоку под действием этого напряжения. Вследствие это-
го напряжение на p-n-переходе вблизи стока равно U
ЗИ
–U
СИ
и отличается
от напряжения U
ЗИ
на переходе вблизи истока. В результате, область обед-
ненного слоя p-n-перехода около стока расширяется и становится больше,
чем у истока (как показано заштрихованной областью на рис. 1). При этом
поперечное сечение канала около стока будет меньше, чем около истока.
Особенности и достоинства ПТ сводятся к следующему.
Во-первых, полевой транзистор (ПТ) существенно отличается от бипо-
лярного транзистора (БТ) принципом действия. В БТ управление выход-
ным током транзистора производится с помощью входного тока, а в ПТ – с
помощью входного напряжения (или электрического поля).
Как отмечалось раньше, p-n-переход затвора ПТ смещен в обратном
направлении напряжением U
ЗИ
и, следовательно, закрыт. Поэтому входная
проводимость ПТ очень мала, а входное сопротивление ПТ весьма велико
5
.
При этом в цепи затвора протекает лишь малый ток обратно смещенного
перехода. Поэтому мощность, необходимая для управления током стока и
потребляемая от источника входного сигнала в цепи затвора, оказывается
очень малой. Следовательно, ПТ может обеспечить усиление электриче-
ских сигналов как по току и напряжению, так и по мощности.
Во-вторых, ПТ могут обладать более низким уровнем шума, чем БТ
(особенно на низких частотах). Это объясняется тем, что в ПТ не исполь-
зуется явление инжекции не основных носителей заряда и, следовательно,
отсутствуют процессы рекомбинации носителей в p-n-переходах.
В-третьих, в ПТ отсутствуют процессы изменения (накопления и расса-
сывания) объёмного заряда не основных носителей, заметно снижающие
быстродействие БТ при их использовании в качестве электронных ключей.
5
Это справедливо для постоянного тока и переменного тока низкой частоты. На высо-
ких частотах на входное сопротивление ПТ оказывают влияние емкости между затво-
ром и другими электродами.
5
Следовательно, возрастает электрическое сопротивление RСИ канала и уменьшается ток IС, протекающий через канал под действием приложенно- го к нему напряжения UСИ. При достаточно большом обратном смещении на затворе, когда напря- жение |UЗИ| велико, обедненный слой p-n-перехода перекрывает весь канал и поперечное сечение канала становится практически равным нулю. В этом случае сопротивление RСИ канала весьма велико и ток в канале (ток стока IС) практически равен нулю. Напряжение на затворе UЗИ, при кото- ром ток канала становится практически равным нулю, называется напря- жением отсечки UЗИ = UЗИ ОТС. Таким образом, меняя напряжение UЗИ между затвором и истоком, можно регулировать ток стока IС (ток в канале) ПТ. При этом для ПТ с ка- налом n-типа должно быть UЗИ ≤ 0, а для ПТ с каналом p-типа UЗИ ≥ 0 . Отметим, что приложенное между истоком и стоком напряжение UСИ также меняет конфигурацию канала, так как потенциал самого канала ме- няется от истока к стоку под действием этого напряжения. Вследствие это- го напряжение на p-n-переходе вблизи стока равно UЗИ–UСИ и отличается от напряжения UЗИ на переходе вблизи истока. В результате, область обед- ненного слоя p-n-перехода около стока расширяется и становится больше, чем у истока (как показано заштрихованной областью на рис. 1). При этом поперечное сечение канала около стока будет меньше, чем около истока. Особенности и достоинства ПТ сводятся к следующему. Во-первых, полевой транзистор (ПТ) существенно отличается от бипо- лярного транзистора (БТ) принципом действия. В БТ управление выход- ным током транзистора производится с помощью входного тока, а в ПТ – с помощью входного напряжения (или электрического поля). Как отмечалось раньше, p-n-переход затвора ПТ смещен в обратном направлении напряжением UЗИ и, следовательно, закрыт. Поэтому входная проводимость ПТ очень мала, а входное сопротивление ПТ весьма велико 5 . При этом в цепи затвора протекает лишь малый ток обратно смещенного перехода. Поэтому мощность, необходимая для управления током стока и потребляемая от источника входного сигнала в цепи затвора, оказывается очень малой. Следовательно, ПТ может обеспечить усиление электриче- ских сигналов как по току и напряжению, так и по мощности. Во-вторых, ПТ могут обладать более низким уровнем шума, чем БТ (особенно на низких частотах). Это объясняется тем, что в ПТ не исполь- зуется явление инжекции не основных носителей заряда и, следовательно, отсутствуют процессы рекомбинации носителей в p-n-переходах. В-третьих, в ПТ отсутствуют процессы изменения (накопления и расса- сывания) объёмного заряда не основных носителей, заметно снижающие быстродействие БТ при их использовании в качестве электронных ключей. 5 Это справедливо для постоянного тока и переменного тока низкой частоты. На высо- ких частотах на входное сопротивление ПТ оказывают влияние емкости между затво- ром и другими электродами. 5
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- …
- следующая ›
- последняя »