Исследование усилительных каскадов на полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом. Охремчик С.А. - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

на стоке. При этом возрастает толщина p-n-перехода затвора около сто-
ка
7
), следовательно, сужается канал около стока и возрастает статическое
сопротивление R
СИ
канала. Так как сопротивление канала ПТ возрастает с
увеличением напряжения U
СИ
, то ток I
C
при этом растёт замедленно по
сравнению со случаем постоянного сопротивления R
СИ
. Таким образом,
нелинейность крутой части ВАХ объясняется увеличением статического
сопротивления R
СИ
канала ПТ с ростом напряжения U
СИ
на стоке при фик-
сированном напряжении U
ЗИ
на затворе ПТ.
б) Область насыщения (пологая часть). При некотором напряжении
между стоком и истоком U
СИ
= U
СИ НАС
, называемом напряжением насы-
щения, происходит почти полное «перекрытие» канала ПТ около стока (не
по всей длине канала) из-за увеличения толщины p-n-перехода затвора.
При дальнейшем увеличении напряжения U
СИ
ток стока I
C
растёт незначи-
тельно, т. е. наступает «насыщение» тока стока (рис. 4).
Область насыщения (пологая часть) – это область ВАХ U
СИ
≥ U
СИ НАС
,
где ток I
C
почти не меняется (медленно растет) с ростом напряжения U
СИ
.
Ток стока I
C
в пределах области насыщения при U
ЗИ
= 0 называют на-
чальным током стока, или током насыщения I
C НАЧ
8
.
Замечание. Следует учитывать условность понятия «перекрытие» ка-
нала при увеличении напряжения U
СИ
и неизменном напряжении U
ЗИ
. При
«перекрытии» канала не прекращается ток стока, а лишь замедляется его
рост с увеличением напряжения U
СИ
. В результате увеличения напряжения
U
СИ
(тока стока I
C
) при U
СИ
≥ U
СИ НАС
устанавливается некоторое малое по-
перечное сечение канала со стороны стокового электрода.
При дальнейшем увеличении напряжения U
СИ
возрастает длина пере-
крытой части канала и растёт сопротивление R
СИ
канала. В результате, ток
I
C
в канале почти не увеличивается и остается примерно равным I
C НАЧ
.
в) Область пробоя. С ростом напряжения U
СИ
возрастает обратное на-
пряжение U
ЗС
на p-n-переходе затвора ПТ. Обратное напряжение U
ЗС
на
переходе изменяется вдоль длины канала, достигая наибольшего значения
у стокового конца канала. При больших напряжениях U
ЗС
может произой-
ти пробой p-n-перехода затвора. При этом ток стока I
C
резко возрастает
(рис. 4), так как сопротивление части канала от стока до затвора невелико.
Область резкого увеличения тока стока I
C
при увеличении напряжения
U
СИ
вследствие пробоя p-n-перехода ПТ
называется областью пробоя.
Изменение выходных ВАХ с ростом напряжения U
ЗИ
на затворе.
Как отмечалось ранее, в рабочем режиме на затвор ПТ подается напря-
жение U
ЗИ
такой полярности относительно истока, которая соответствует
обратному смещению p-n-перехода затвора. Для ПТ c n-каналом выбирает-
7
Наибольшая обратная разность потенциалов на p-n-переходе и, следовательно, наи-
большая толщина перехода и наименьшее поперечное сечение канала имеет место со
стороны стока (см. рис. 1).
8
Так как ток стока I
C
все же несколько меняется в пределах области насыщения, то в
качестве I
C НАЧ
можно выбирать значение тока стока в середине этой области или при
заданном значении U
СИ
.
8
на стоке. При этом возрастает толщина p-n-перехода затвора около сто-
ка 7 ), следовательно, сужается канал около стока и возрастает статическое
сопротивление RСИ канала. Так как сопротивление канала ПТ возрастает с
увеличением напряжения UСИ, то ток IC при этом растёт замедленно по
сравнению со случаем постоянного сопротивления RСИ. Таким образом,
нелинейность крутой части ВАХ объясняется увеличением статического
сопротивления RСИ канала ПТ с ростом напряжения UСИ на стоке при фик-
сированном напряжении UЗИ на затворе ПТ.
    б) Область насыщения (пологая часть). При некотором напряжении
между стоком и истоком UСИ = UСИ НАС, называемом напряжением насы-
щения, происходит почти полное «перекрытие» канала ПТ около стока (не
по всей длине канала) из-за увеличения толщины p-n-перехода затвора.
При дальнейшем увеличении напряжения UСИ ток стока IC растёт незначи-
тельно, т. е. наступает «насыщение» тока стока (рис. 4).
   Область насыщения (пологая часть) – это область ВАХ UСИ ≥ UСИ НАС,
где ток IC почти не меняется (медленно растет) с ростом напряжения UСИ.
    Ток стока IC в пределах области насыщения при UЗИ = 0 называют на-
чальным током стока, или током насыщения IC НАЧ 8 .
    Замечание. Следует учитывать условность понятия «перекрытие» ка-
нала при увеличении напряжения UСИ и неизменном напряжении UЗИ. При
«перекрытии» канала не прекращается ток стока, а лишь замедляется его
рост с увеличением напряжения UСИ. В результате увеличения напряжения
UСИ (тока стока IC) при UСИ ≥ UСИ НАС устанавливается некоторое малое по-
перечное сечение канала со стороны стокового электрода.
    При дальнейшем увеличении напряжения UСИ возрастает длина пере-
крытой части канала и растёт сопротивление RСИ канала. В результате, ток
IC в канале почти не увеличивается и остается примерно равным IC НАЧ .
    в) Область пробоя. С ростом напряжения UСИ возрастает обратное на-
пряжение UЗС на p-n-переходе затвора ПТ. Обратное напряжение UЗС на
переходе изменяется вдоль длины канала, достигая наибольшего значения
у стокового конца канала. При больших напряжениях UЗС может произой-
ти пробой p-n-перехода затвора. При этом ток стока IC резко возрастает
(рис. 4), так как сопротивление части канала от стока до затвора невелико.
    Область резкого увеличения тока стока IC при увеличении напряжения
UСИ вследствие пробоя p-n-перехода ПТ называется областью пробоя.
    Изменение выходных ВАХ с ростом напряжения UЗИ на затворе.
    Как отмечалось ранее, в рабочем режиме на затвор ПТ подается напря-
жение UЗИ такой полярности относительно истока, которая соответствует
обратному смещению p-n-перехода затвора. Для ПТ c n-каналом выбирает-

7
  Наибольшая обратная разность потенциалов на p-n-переходе и, следовательно, наи-
большая толщина перехода и наименьшее поперечное сечение канала имеет место со
стороны стока (см. рис. 1).
8
  Так как ток стока IC все же несколько меняется в пределах области насыщения, то в
качестве IC НАЧ можно выбирать значение тока стока в середине этой области или при
заданном значении UСИ.
                                          8

Страницы