ВУЗ:
Рубрика:
рекомбинация в
полупроводниках.
диаграмма. Соотношение Ван Русбрека-Шокли. Межзонная
рекомбинация. Зависимость времени жизни неравновесных
носителей заряда от положения уровня Ферми, температуры и
уровня возбуждения. Самопоглощение. Эффективность
излучения. Экситонная рекомбинация. Примесное излучение.
Донорно-акцепторные переходы. Спонтанное и вынужденное
излучение.
5. Безызлучательные
переходы в
полупроводниках.
Оже-рекомбинация. Поверхностная рекомбинация.
Многофононная эмиссия. Рекомбинация через простые
локальные центры: кинетические уравнения. Стационарный
случай с малой концентрацией ловушек. Зависимость времени
жизни от положения уровня Ферми. Температурная
зависимость времени жизни. Стационарный случай с любой
концентрацией ловушек. Вычисление времени жизни
неравновесных носителей заряда в случае нескольких
типов
ловушек.
6. Фотоэлектрические
явления
Внутренний фотоэффект. Фотопроводимость. Релаксация
фотопроводимости. Эффект Дембера. Внешний фотоэффект.
Фотоэлектромагнитный эффект.
Примерная тематика рефератов, курсовых работ
Исследование спектров поглощения полупроводников в ИК-диапазоне. Исследование
спектров излучения соединений А
3
В
5
.
III. Распределение часов курса по темам и видам работ
Аудиторные занятия (час)
в том числе
№
пп
Наименование
темы
Всего
часов
лекции семинары
лаборатор.
занятия
Самостоя-
тельная
работа
1 Введение 1 1
2 Оптические
константы твердого
тела
12 6 6 2
3 Процессы
поглощения в
полупроводниках
24 12 12 3
4 Излучательная
рекомбинация в
полупроволниках
21 9 12 2
5 Безызлучательные
переходы в
полупроводниках
10 10 3
6 Фотоэлектрические
явления
12 6 6 2
ИТОГО 92 44 36 12
IV. Форма итогового контроля
Зачет по лабораторным работам, экзамен по курсу лекций.
V. Учебно-методическое обеспечение курса
