Основы проектирования электронных средств. Панков Л.Н - 11 стр.

UptoLike

10
1.2. История развития конструкций ЭС III и IV поколения
Решить задачу минимизации габаритов и автоматизации производства
удалось в 1951 г. когда на кристалле полупроводника стали делать не
только транзистор, а всю схему электрическую принципиальную узла ЭС,
т.е. микросхему. Появились микросхемы 1-й, 2-й степени интеграции.
Аппаратура 3-го поколения создавалась на элементной базе из корпу
-
сированных интегральных схем не высокой степени интеграции с исполь-
зованием печатного монтажа. Основным элементом конструкции являлась
ячейка, представляющая функционально законченную структуру. Третье
поколение ЭС позволило уменьшить габариты конструкции, увеличилась
технологичность конструкции, увеличилась её надёжность.
В случае сложной схемы и сложных условий эксплуатации аппаратура
3-го поколения оказывается громоздкой и тяжелой. Уменьшить
размеры
конструкции и увеличить её технологичность можно, перенеся сложность
из конструкции аппаратуры в сложность элементной базы: микросхем и
микросборок.
Появились БИС, микросборки 3, 4 степени интеграции, корпусные и
бескорпусные, выполняемые по кристальной схеме. Количество полупро-
водниковых приборов уменьшается с сотен до единиц штук. Такие конст-
рукции называют ЭС 4-го поколения. Они имеют
следующие проблемы:
1. Проблема охлаждения БИС и микросборок. Для локального охлаж-
дения в ячейках предлагают теплоотводящие шины, теплоотводящие осно-
вания ячеек, а также трубы, вентиляторы.
2. Проблема высокоточного плотного печатного монтажа, когда не-
обходим 4, 5-й класс точности с шириной проводника 0,1мм и зазором 0,1
мм.
Контрольные вопросы
1. Как выглядели первые конструкции
ЭС?
2. Отличительные особенности конструкций ЭС первого поколения.
3. Предпосылки создания и отличительные особенности конструкций
ЭС второго поколения.
4. Основные недостатки конструкций ЭС второго поколения.
5. Предпосылки создания и отличительные особенности конструкций
ЭС третьего поколения.
6. Отличительные особенности и основные проблемы конструкций ЭС
четвертого поколения.