Основы проектирования электронных средств. Панков Л.Н - 138 стр.

UptoLike

137
Характеристики источников помех
Всё многообразие источников может быть сведено к двум основным
типам (рис 10.2).
Источники
с высоким волновым
сопротивлением
. Для них эквива-
лентная схема или модель может быть
представлена
в виде штыря (антенна-
штырь) (рис 10.2, а). В окрестностях
этого штыря формируется относитель-
но интенсивное электрическое поле
(ЭП), и слабое магнитное поле (МП).
Как мы помним,
Z = U
п
/I
п
. Поскольку
электрическое поле вызывает напря-
жение, а магнитноевызывает ток,
получается, что большое ЭП и малое МП обеспечивает высокое волновое
сопротивление
Z (Z = Е/Н).
В качестве штыря может рассматриваться любой не нагруженный про-
водник, на который подается электрический потенциал. Например, про-
водник, идущий к контрольной точке, либо проводник, подходящий к ра-
зомкнутым контактам выключателя, реле, к розетке, в которою не включе-
на нагрузка и т.д.
Источники помех, модель которых может быть представлена
в виде
токовой петли
(рис 10.2, б). При этом возникает интенсивное магнитное
поле и слабое электрическое. Эти источники имеют
малое волновое со-
противление
.
В качестве токовой петли рассматриваются любые проводники, по ко-
торым протекает электрический ток.
Полученные относительные значения
Z действительны для области,
которая находится в непосредственной близости от излучателя. На значи-
тельных расстояниях основная составляющая полята, которая имеет
большее значение, убывает быстрее дополнительной составляющей. И, в
конце концов, волновое сопротивление
Z становится равным 377 Ом, то
есть волновому сопротивлению свободного пространства.
Для первого типа источников основная составляющая - электрическая -
убывает пропорционально
1/r
3
. Дополнительная - магнитная - пропорцио-
нально
1/r
2
. Для источников второго типа ситуация обратная. Магнитная
составляющая убывает пропорционально
1/r
3
, а электрическая - пропор-
ционально
1/r
2
.
Можно выделить
три зоны действия источников (рис. 10.3).
Рис. 10.2. Источники помех
а)
б)
    Характеристики источников помех
    Всё многообразие источников может быть сведено к двум основным
типам (рис 10.2).
                                     Источники с высоким волновым
                                  сопротивлением. Для них эквива-
                          а)
                                  лентная схема или модель может быть
                                  представлена в виде штыря (антенна-
                                  штырь) (рис 10.2, а). В окрестностях
                          б)      этого штыря формируется относитель-
                                  но интенсивное электрическое поле
                                  (ЭП), и слабое магнитное поле (МП).
    Рис. 10.2. Источники помех    Как мы помним, Z = Uп/Iп. Поскольку
                                  электрическое поле вызывает напря-
                                  жение, а магнитное – вызывает ток,
получается, что большое ЭП и малое МП обеспечивает высокое волновое
сопротивление Z (Z = Е/Н).
    В качестве штыря может рассматриваться любой не нагруженный про-
водник, на который подается электрический потенциал. Например, про-
водник, идущий к контрольной точке, либо проводник, подходящий к ра-
зомкнутым контактам выключателя, реле, к розетке, в которою не включе-
на нагрузка и т.д.
    Источники помех, модель которых может быть представлена в виде
токовой петли (рис 10.2, б). При этом возникает интенсивное магнитное
поле и слабое электрическое. Эти источники имеют малое волновое со-
противление.
    В качестве токовой петли рассматриваются любые проводники, по ко-
торым протекает электрический ток.
    Полученные относительные значения Z действительны для области,
которая находится в непосредственной близости от излучателя. На значи-
тельных расстояниях основная составляющая поля – та, которая имеет
большее значение, убывает быстрее дополнительной составляющей. И, в
конце концов, волновое сопротивление Z становится равным 377 Ом, то
есть волновому сопротивлению свободного пространства.
    Для первого типа источников основная составляющая - электрическая -
убывает пропорционально 1/r3. Дополнительная - магнитная - пропорцио-
нально 1/r2. Для источников второго типа ситуация обратная. Магнитная
составляющая убывает пропорционально 1/r3, а электрическая - пропор-
ционально 1/r2.
    Можно выделить три зоны действия источников (рис. 10.3).




                                                                    137