ВУЗ:
Составители:
137
Характеристики источников помех
Всё многообразие источников может быть сведено к двум основным
типам (рис 10.2).
Источники
с высоким волновым
сопротивлением
. Для них эквива-
лентная схема или модель может быть
представлена
в виде штыря (антенна-
штырь) (рис 10.2, а). В окрестностях
этого штыря формируется относитель-
но интенсивное электрическое поле
(ЭП), и слабое магнитное поле (МП).
Как мы помним,
Z = U
п
/I
п
. Поскольку
электрическое поле вызывает напря-
жение, а магнитное – вызывает ток,
получается, что большое ЭП и малое МП обеспечивает высокое волновое
сопротивление
Z (Z = Е/Н).
В качестве штыря может рассматриваться любой не нагруженный про-
водник, на который подается электрический потенциал. Например, про-
водник, идущий к контрольной точке, либо проводник, подходящий к ра-
зомкнутым контактам выключателя, реле, к розетке, в которою не включе-
на нагрузка и т.д.
Источники помех, модель которых может быть представлена
в виде
токовой петли
(рис 10.2, б). При этом возникает интенсивное магнитное
поле и слабое электрическое. Эти источники имеют
малое волновое со-
противление
.
В качестве токовой петли рассматриваются любые проводники, по ко-
торым протекает электрический ток.
Полученные относительные значения
Z действительны для области,
которая находится в непосредственной близости от излучателя. На значи-
тельных расстояниях основная составляющая поля – та, которая имеет
большее значение, убывает быстрее дополнительной составляющей. И, в
конце концов, волновое сопротивление
Z становится равным 377 Ом, то
есть волновому сопротивлению свободного пространства.
Для первого типа источников основная составляющая - электрическая -
убывает пропорционально
1/r
3
. Дополнительная - магнитная - пропорцио-
нально
1/r
2
. Для источников второго типа ситуация обратная. Магнитная
составляющая убывает пропорционально
1/r
3
, а электрическая - пропор-
ционально
1/r
2
.
Можно выделить
три зоны действия источников (рис. 10.3).
Рис. 10.2. Источники помех
а)
б)
Характеристики источников помех Всё многообразие источников может быть сведено к двум основным типам (рис 10.2). Источники с высоким волновым сопротивлением. Для них эквива- а) лентная схема или модель может быть представлена в виде штыря (антенна- штырь) (рис 10.2, а). В окрестностях б) этого штыря формируется относитель- но интенсивное электрическое поле (ЭП), и слабое магнитное поле (МП). Рис. 10.2. Источники помех Как мы помним, Z = Uп/Iп. Поскольку электрическое поле вызывает напря- жение, а магнитное – вызывает ток, получается, что большое ЭП и малое МП обеспечивает высокое волновое сопротивление Z (Z = Е/Н). В качестве штыря может рассматриваться любой не нагруженный про- водник, на который подается электрический потенциал. Например, про- водник, идущий к контрольной точке, либо проводник, подходящий к ра- зомкнутым контактам выключателя, реле, к розетке, в которою не включе- на нагрузка и т.д. Источники помех, модель которых может быть представлена в виде токовой петли (рис 10.2, б). При этом возникает интенсивное магнитное поле и слабое электрическое. Эти источники имеют малое волновое со- противление. В качестве токовой петли рассматриваются любые проводники, по ко- торым протекает электрический ток. Полученные относительные значения Z действительны для области, которая находится в непосредственной близости от излучателя. На значи- тельных расстояниях основная составляющая поля – та, которая имеет большее значение, убывает быстрее дополнительной составляющей. И, в конце концов, волновое сопротивление Z становится равным 377 Ом, то есть волновому сопротивлению свободного пространства. Для первого типа источников основная составляющая - электрическая - убывает пропорционально 1/r3. Дополнительная - магнитная - пропорцио- нально 1/r2. Для источников второго типа ситуация обратная. Магнитная составляющая убывает пропорционально 1/r3, а электрическая - пропор- ционально 1/r2. Можно выделить три зоны действия источников (рис. 10.3). 137
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 136
- 137
- 138
- 139
- 140
- …
- следующая ›
- последняя »