Основы проектирования электронных средств. Панков Л.Н - 143 стр.

UptoLike

142
Рассмотрим случай экранирования LC-контура (рис. 10.8).
Магнитный экран катушки индуктивности может быть круглого или
прямоугольного сечения в направлении, перпендикулярном оси катушки.
В стенках экрана от электромагнитного поля катушки наводятся токи, ко-
торые распределены по сечению экрана не равномерно. Максимальное
значение ток имеет на поверхности экрана ближайшей к источнику помех.
Чем больше толщина
экрана, тем меньше значение тока на другой от ис-
точника помех поверхности экрана. В теории экранирования вводят поня-
тие эквивалентной x
0
глубины проникновения тока в экране.
На этой глубине в сечении эк-
рана величина тока уменьшается
от максимального на поверхности
в
е раз.
Эквивалентная глубина x
0
про-
никновения тока зависит от удель-
ного сопротивления материала эк-
рана
ρ
, магнитной проницаемости
материала экрана
µ
, частоты поля
f:
f
=
πµµ
ρ
0
0
x.
µ
0
= 1,256 10
-6
Гн/м.
Если необходимо ослабить по-
ле в N раз, то следует сделать эк-
ран толщиной b, большей, чем x
0
в соответствии с формулой:
N
f
lnb
0
=
πµµ
ρ
.
При проектировании экрана необходимо выполнить конструкцию ма-
лой толщины и массы при условии обеспечения, на заданную степень ос-
лабления N. Для этого можно выбирать экран малого удельного сопротив-
ления (медь, латунь, алюминий) или большой магнитной проницаемости
(сталь). Выбор зависит от частоты магнитного поля. При проектировании
экранов на высоких частотах применяются экраны
из материалов низкого
удельного сопротивления, т.к. на высоких частотах магнитная проницае-
мость стали, заметно, уменьшается. При экранировании на низких часто-
тах выполняют экраны из материалов с высокой магнитной проницаемо-
стью (сталь, электротехническая сталь).
Рассчитанное по формуле значение толщины b стенки экрана обеспе-
чивает предполагаемую эффективность с запасом, т.к. в
формуле не учи-
Рис. 10.8. Пример экранирования
катушки индуктивности
Н
b