Составители:
изменение связано с разрядкой конденсатора. Для описания системы одной
функции запоминания недостаточно. Полная функция динамического
запоминающего МДП элемента, реализующего функции памяти и выбора
показан на рис. 6.3.
Здесь транзистор V
1
осуществляет функцию запоминания, транзистор V
2
делает выборку при запоминании (записи).
Чтобы запомнить, необходимо подать положительное напряжение на
провод “Адресный провод записи“. При этом затвор транзистора V
2
окажется
под положительным напряжением и, следовательно, затвор транзистора V
1
через промежуток исток-сток окажется подсоединенным к проводу “Запись“.
Рис. 6.3. Динамический запоминающий МДП-элемент
Все зависит от того, каково состояние провода “Запись“. Если на нем
имеется положительное напряжение, затвор транзистора V
1
также окажется
под положительным напряжением и это его состояние запомнится (запись 1).
Если провод “Запись“ находится под нулевым напряжением, то затвор
транзистора V
2
разрядится (запись 0).
Если же адресный провод записи находится под нулевым напряжением,
то состояние запоминающего элемента ( 0 или 1) не будет зависеть от
состояния провода записи.
Чтобы прочесть то, что записано в динамическом запоминающем
элементе (рис. 6.3.) нужно подать положительное напряжение на “Адресный
провод чтения“. При этом на затворе V
3
, будет положительное напряжение
и провод “Чтение“ окажется подсоединенным к стоку V
1
.
Теперь все зависит от состояния транзистора V
1
. Если он помнит 1, то
провод для чтения окажется замкнутым с точкой нулевого потенциала
(землёй). Если транзистор V
1
помнит нуль, такого замыкания не произойдет.
Динамические запоминающие элементы способны помнить в течение
нескольких долей секунды, что является их недостатком.
Для длительного хранения информация периодически должна
обновляться с помощью устройств регенерации (из-за чего устройства
памяти быстро выходят из употребления).
43
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- …
- следующая ›
- последняя »
