Изучение электрофизических параметров полевого МДП транзистора. Гардин Ю.Е

UptoLike

Изучение электрофизических параметров полевого МДП транзистора. Гардин Ю.Е

ВУЗ: 

ПетрГУ | Петрозаводск

Дисциплина: 

ТТП

Формат файла: 

PDF (pdf-версия)

Составители: 

Ключевые слова: 

  • методические указания

Год: 

  • 2003

Количество страниц: 

15
Источник файла

РЕШЕНИЕ (файл) вывод, красное-белое: 

Читать
Приведены методические указания к лабораторной работе, посвященной изучению электрофизических параметров полевого МДП транзистора. Предназначены для студентов 4 курса физико-технического факультета ПетрГУ специальности "Твердотельная электроника и микроэлектроника".

Рекомендуемые учебно-методические материалы

Изучение электрофизических параметров полевого МДП транзистора. Гардин Ю.Е
Просмотреть (PDF)
Гардин Ю.Е., Гуртов В.А., Кузнецов С.Н., Пикулев В.Б.
Гардин Ю.Е., Гуртов В.А., Кузнецов С.Н., Пикулев В.Б. Изучение электрофизических параметров полевого МДП транзистора: Методические указания к лабораторной работе для студентов 4 курса физико-технического факультета специальности "Твердотельная электроника и микроэлектроника". - Петрозаводск: Изд-во ПетрГУ, 2003.- 15 с.