ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
ЭИКТ ЭЛТИ
43
0
3
44
4
1
1
Cj
R
RCj
R
Cj
R
x
x
⋅⋅
=
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
⋅⋅⋅+
⋅
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
⋅⋅
+
ωωω
;
0
443
4
)1(1
Cj
RCjR
R
Cj
RCj
x
xx
⋅⋅
⋅⋅⋅+⋅
=⋅
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
⋅⋅
+⋅⋅⋅
ω
ω
ω
ω
;
()
)1(1
44304
RCjCRCRRCj
xxx
⋅⋅
⋅
+
⋅
⋅
=
⋅
⋅
+⋅⋅⋅
ω
ω
.
Приравнивая вещественные части, имеем:
x
CRCR ⋅=
⋅
304
Следовательно,
3
4
0
R
R
CС
x
⋅= . (2.42)
Сравнение мнимых частей дает:
xxx
CRRCCRRС
⋅
⋅
⋅
⋅
=
⋅
⋅⋅⋅
34404
ω
ω
.
Принимая во внимание, что для последовательной эквивалентной
схемы замещения образца
xxx
RCtg ⋅⋅=
ω
δ
и учитывая уравнение (2.42), получим:
4
4
RCtg
x
⋅⋅=
ωδ
(2.43)
В высоковольтных мостах обычно выбирают сопротивление
π
10000
4
=R (или
π
1000
). Учитывая, что
ω
= 2πƒ, выражение (2.43) для
тангенса угла диэлектрических потерь можно представить в виде:
4
Ctg ⋅Κ=
δ
, (2.44)
где К =
16
10
10000
100
−
=⋅⋅ F
π
π
.
Если емкость С
4
выражать в микрофарадах, то шкалу переменного
конденсатора С
4
можно отградуировать в значениях
x
tg
δ
.
В формуле (2.42) величины R
4
и C
0
постоянны, поэтому шкалу ма-
газина сопротивлений R
3
можно отградуировать в единицах
емкости C
x
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- …
- следующая ›
- последняя »