ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
ЭИКТ ЭЛТИ
53
C
P
G
C4
R4
R3
P
R
C
x
x
o
x
C
Tp
Рис. 2.13. Принципиальная схема высоковольтного моста для измерения
С
х
и tgδ
2.9. Каково назначение элементов высоковольтного моста
рис.2.13. и в чем состоят их особенности?
2.10.
Какие допускаются погрешности при измерении высоко-
вольтным мостом диэлектрической проницаемости и тан-
генса угла диэлектрических потерь на технической часто-
те?
2.11.
Как можно определить диэлектрическую проницаемость
жидкого диэлектрика, не прибегая к измерению геометри-
ческих величин конденсатора?
2.12.
Выведите уравнение постоянной электродов для уточнен-
ных испытаний диэлектрической проницаемости жидких
диэлектриков.
2.13.
Каким образом можно исключить погрешность от влияния
паразитных емкостей при измерении
С
х
и tg
δ
на высоко-
вольтном мосте?
2.14.
Выразить С
х
и tg
δ
через параметры плеч безиндуктивного
моста рис.2.14а.
2.15.
Каким образом компенсируют влияние паразитных емко-
стей и индуктивностей в схеме моста рис.2.14. при измере-
ниях на частотах порядка 1000 Гц?
2.16.
Каково назначение разрядников в схеме моста Р-525?
2.17.
Для чего между нижней вершиной и экраном моста Р-525
вводится защитное напряжение? Рис.2.5.
2.18.
Какова погрешность измерения диэлектрической прони-
цаемости с помощью моста Р-525, если измерения произ-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 51
- 52
- 53
- 54
- 55
- …
- следующая ›
- последняя »
