Структура и свойства неупорядоченных твердых тел. Петров А.Л - 54 стр.

UptoLike

54
линией ТА-моды. Соответственно, эти материалы не стеклуются, при
охлаждении ниже температуры плавления происходит их быстрая
кристаллизация в соответствии с тем, что в них в отличие от стекол амплитуда
тепловых колебаний близка к значению в кристаллическом состоянии.
В аморфных телах и стеклах физика релаксации возбуждений кардинально
меняется по сравнению с кристаллами. В средах с пространственной дисперсией
свойств энергия возбуждения локализуется на масштабах порядка радиуса
корреляции структуры. Передача энергии от электронной подсистемы к ионному
остову осуществляется в два этапа: на первом происходит генерация
высокочастотных локальных фононов в области, ограниченной радиусом
корреляции структуры R
c
, а лишь затем, через некоторое время задержки, идет
перекачка энергии в длинноволновые колебания. Локализованные фононы
"заперты" внутри области корреляции структуры и обладают своеобразным
спектром, зависящим от характерного размера (присутствуют только фононы с
волновыми числами от
c
d
R
kдоkk
1
~'~
max
). Избыточная энергия, связанная с
локальными колебаниями, расплывается только за счет фонон-фононного
взаимодействия и время локализации может на порядки превысить характерные
фононные частоты. Такое замедление отвода энергии приводит к интересному
явлениюструктурным перестройкам в аморфных материалах и стеклах под
действием света сколь угодно малой интенсивностикаждый поглощенный
квант может изменить структуру той нанообласти, где произошел акт
поглощения. Такие структурные изменения наблюдались наиболее ярко в
халькогенидных стеклах, а в той или иной мерево всех других стеклах и
аморфных материалах. Наиболее последовательно и полно объясняет
экспериментальные данные модель локального разогрева.
Нанонеоднородности обнаруживают себя и в экспериментах по токопереносу.
Обычно температурная зависимость проводимости имеет вид плавной кривой с
уменьшающейся при понижении температуры величиной энергии активации. Как
правило, это интерпретируется несколькими экспоненциальными участками,
соответствующими известным механизмам переноса заряда: по зоне
линией   ТА-моды. Соответственно, эти материалы не стеклуются, при
охлаждении     ниже    температуры    плавления     происходит         их    быстрая
кристаллизация в соответствии с тем, что в них в отличие от стекол амплитуда
тепловых колебаний близка к значению в кристаллическом состоянии.
    В аморфных телах и стеклах физика релаксации возбуждений кардинально
меняется по сравнению с кристаллами. В средах с пространственной дисперсией
свойств энергия возбуждения локализуется на масштабах порядка радиуса
корреляции структуры. Передача энергии от электронной подсистемы к ионному
остову осуществляется в два этапа: на первом происходит генерация
высокочастотных локальных фононов в области, ограниченной радиусом
корреляции структуры Rc, а лишь затем, через некоторое время задержки, идет
перекачка энергии в длинноволновые колебания. Локализованные фононы
"заперты" внутри области корреляции структуры и обладают своеобразным
спектром, зависящим от характерного размера (присутствуют только фононы с
волновыми числами от k max ~ k d до k ' ~ 1 R ). Избыточная энергия, связанная с
                                             c


локальными колебаниями, расплывается только за счет фонон-фононного
взаимодействия и время локализации может на порядки превысить характерные
фононные частоты. Такое замедление отвода энергии приводит к интересному
явлению — структурным перестройкам в аморфных материалах и стеклах под
действием света сколь угодно малой интенсивности — каждый поглощенный
квант может изменить структуру той нанообласти, где произошел акт
поглощения. Такие структурные изменения наблюдались наиболее ярко в
халькогенидных стеклах, а в той или иной мере — во всех других стеклах и
аморфных     материалах.   Наиболее    последовательно       и    полно     объясняет
экспериментальные данные модель локального разогрева.
    Нанонеоднородности обнаруживают себя и в экспериментах по токопереносу.
Обычно температурная зависимость проводимости имеет вид плавной кривой с
уменьшающейся при понижении температуры величиной энергии активации. Как
правило, это интерпретируется несколькими экспоненциальными участками,
соответствующими      известным   механизмам      переноса       заряда:    по   зоне
                                                                                   54