Структура и свойства неупорядоченных твердых тел. Петров А.Л - 57 стр.

отсюда и концентрация "болтающихся" связей, оказывают решающее влияние
на положение уровня Ферми, концентрацию носителей тока и, следовательно,
на электрические и оптические характеристики аморфного полупроводника.
Для описания аморфного полупроводника была построена модель "идеального
ковалентного стекла". Эта модель представляет собой хаотическую сетку, не
имеющую дальнего порядка (трансляционной симметрии), но с идеальным
ближним порядком. Это означает, что позиции ближайших соседей строго
скоррелированы, а их валентные электроны обрадуют систему насыщенных
ковалентных связей. При этом направления связей скоординированы подобно
тому, как это имеет место в кристаллах. Такое стекло не должно иметь
структурных дефектов, а в реальном случае требование насыщенности
ковалентных связей обусловливает выбор конфигурации, соответствующей
минимальному числу «болтающихся» связей. Экспериментально показано, что
лучше всего таким требованиям удовлетворяет пленка аморфного кремния,
напыленная в вакууме на холодную (около 150° К) подложку ив силикатного
стекла или монокремния.
     Модель "идеального стекла" при расчете энергетического спектра
электронов приводит к зонной структуре, характерной для кристаллического
материала, при этом наличие неспаренных валентных электронов проявляется
появлением локализованных состояний в запрещенной зоне. С ростом
разупорядоченности зона запрещенных энергий будет уменьшаться как за счет
образования хвостов плотности состояний разрешенных зон, так и за счет
формирования "примесной" зоны из-за перекрытия волновых функций
локализованных состояний.




                                                                       57