Структура и свойства неупорядоченных твердых тел. Петров А.Л - 66 стр.

UptoLike

66
термодинамически устойчивыми, по сравнению с аморфными германием и
кремнием. Поэтому их отжиг обычно не приводит к существенным изменениям
физических свойств.
Электропроводность халькогенидных стекол в основном подчиняется
экспоненциальному закону: σ = Сехр(-Е
g
Т). При этом, хотя величина
g
близка к энергии края оптического поглощения, детальное изучение процессов
электропроводности заставляет говорить не о собственной проводимости, а о
проводимости по распространенным состояниям вблизи края разрешенных зон.
В некоторых веществах малая величина коэффициента С свидетельствует
о преимущественном вкладе прыжковой проводимости по локализованным
состояниям вблизи края зоны. Края оптического поглощения халькогенидных
стекол интересны тем, что коэффициент поглощения возрастает
экспоненциально с ростом энергии фотонов, т.е. описывается спектральным
правилом Урбаха (переходы с участием хвостов плотности состояний), а при
дальнейшем увеличении энергии зависимость меняется: что характерно для
прямых разрешенных переходов зона - зона. При этом величину Е
g
естественно,
можно считать оптической шириной запрещенной зоны.
Близкие к халькогенидным стеклам свойства обнаруживает еще один
класс соединений - тройные соединения типа CdGeAs , являющиеся
изоэлектронными аналогами соединений А
3
В
5
, но кристаллизующиеся в
структуре халькопирита и образующие стеклообразную фазу при быстром
охлаждении расплава.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
Обобщая все сказанное ранее, можно сделать следующие выводы:
1. Аморфные металлические сплавы являются пока сравнительно
малоизученными объектами. Наряду с ярко выраженными металлическими
свойствами, они в то же время обладают рядом существенных особенностей,
которые отличают их от кристаллических металлов. Причиной этому является
термодинамически устойчивыми, по сравнению с аморфными германием и
кремнием. Поэтому их отжиг обычно не приводит к существенным изменениям
физических свойств.
     Электропроводность халькогенидных стекол в основном подчиняется
экспоненциальному закону: σ = Сехр(-Еg/кТ). При этом, хотя величина 2Еg
близка к энергии края оптического поглощения, детальное изучение процессов
электропроводности заставляет говорить не о собственной проводимости, а о
проводимости по распространенным состояниям вблизи края разрешенных зон.
     В некоторых веществах малая величина коэффициента С свидетельствует
о преимущественном вкладе прыжковой проводимости по локализованным
состояниям вблизи края зоны. Края оптического поглощения халькогенидных
стекол   интересны     тем,   что   коэффициент   поглощения     возрастает
экспоненциально с ростом энергии фотонов, т.е. описывается спектральным
правилом Урбаха (переходы с участием хвостов плотности состояний), а при
дальнейшем увеличении энергии зависимость меняется: что характерно для
прямых разрешенных переходов зона - зона. При этом величину Еg естественно,
можно считать оптической шириной запрещенной зоны.
     Близкие к халькогенидным стеклам свойства обнаруживает еще один
класс соединений - тройные соединения типа CdGeAs , являющиеся
изоэлектронными аналогами соединений А3В5, но кристаллизующиеся в
структуре халькопирита и образующие стеклообразную фазу при быстром
охлаждении расплава.



                                ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

     Обобщая все сказанное ранее, можно сделать следующие выводы:
     1. Аморфные металлические сплавы являются пока сравнительно
малоизученными объектами. Наряду с ярко выраженными металлическими
свойствами, они в то же время обладают рядом существенных особенностей,
которые отличают их от кристаллических металлов. Причиной этому является

                                                                         66