ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
66
термодинамически устойчивыми, по сравнению с аморфными германием и
кремнием. Поэтому их отжиг обычно не приводит к существенным изменениям
физических свойств.
Электропроводность халькогенидных стекол в основном подчиняется
экспоненциальному закону: σ = Сехр(-Е
g
/кТ). При этом, хотя величина 2Е
g
близка к энергии края оптического поглощения, детальное изучение процессов
электропроводности заставляет говорить не о собственной проводимости, а о
проводимости по распространенным состояниям вблизи края разрешенных зон.
В некоторых веществах малая величина коэффициента С свидетельствует
о преимущественном вкладе прыжковой проводимости по локализованным
состояниям вблизи края зоны. Края оптического поглощения халькогенидных
стекол интересны тем, что коэффициент поглощения возрастает
экспоненциально с ростом энергии фотонов, т.е. описывается спектральным
правилом Урбаха (переходы с участием хвостов плотности состояний), а при
дальнейшем увеличении энергии зависимость меняется: что характерно для
прямых разрешенных переходов зона - зона. При этом величину Е
g
естественно,
можно считать оптической шириной запрещенной зоны.
Близкие к халькогенидным стеклам свойства обнаруживает еще один
класс соединений - тройные соединения типа CdGeAs , являющиеся
изоэлектронными аналогами соединений А
3
В
5
, но кристаллизующиеся в
структуре халькопирита и образующие стеклообразную фазу при быстром
охлаждении расплава.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
Обобщая все сказанное ранее, можно сделать следующие выводы:
1. Аморфные металлические сплавы являются пока сравнительно
малоизученными объектами. Наряду с ярко выраженными металлическими
свойствами, они в то же время обладают рядом существенных особенностей,
которые отличают их от кристаллических металлов. Причиной этому является
термодинамически устойчивыми, по сравнению с аморфными германием и кремнием. Поэтому их отжиг обычно не приводит к существенным изменениям физических свойств. Электропроводность халькогенидных стекол в основном подчиняется экспоненциальному закону: σ = Сехр(-Еg/кТ). При этом, хотя величина 2Еg близка к энергии края оптического поглощения, детальное изучение процессов электропроводности заставляет говорить не о собственной проводимости, а о проводимости по распространенным состояниям вблизи края разрешенных зон. В некоторых веществах малая величина коэффициента С свидетельствует о преимущественном вкладе прыжковой проводимости по локализованным состояниям вблизи края зоны. Края оптического поглощения халькогенидных стекол интересны тем, что коэффициент поглощения возрастает экспоненциально с ростом энергии фотонов, т.е. описывается спектральным правилом Урбаха (переходы с участием хвостов плотности состояний), а при дальнейшем увеличении энергии зависимость меняется: что характерно для прямых разрешенных переходов зона - зона. При этом величину Еg естественно, можно считать оптической шириной запрещенной зоны. Близкие к халькогенидным стеклам свойства обнаруживает еще один класс соединений - тройные соединения типа CdGeAs , являющиеся изоэлектронными аналогами соединений А3В5, но кристаллизующиеся в структуре халькопирита и образующие стеклообразную фазу при быстром охлаждении расплава. ЗАКЛЮЧЕНИЕ. Обобщая все сказанное ранее, можно сделать следующие выводы: 1. Аморфные металлические сплавы являются пока сравнительно малоизученными объектами. Наряду с ярко выраженными металлическими свойствами, они в то же время обладают рядом существенных особенностей, которые отличают их от кристаллических металлов. Причиной этому является 66
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 64
- 65
- 66
- 67
- 68
- …
- следующая ›
- последняя »