Транзисторы. Петров Б.К - 37 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

37
у стока (рис. 4б). Когда напряжение на стоке станет равным напряжению
перекрытия (U
си пер
= U
зи
-U
отп
), канал у стока отсекается (исчезает) и
заменяется обедненным слоем (рис. 4в).
При U
си
>U
отс
длина канала уменьшается на величину ∆L (рис. 4г) и длина
обедненной области увеличивается . Через участок L-∆L протекает дрейфовый
Рис. 4. Зависимость формы канала от напряжения на стоке в МДП-
транзисторе.
U
зи
U
зи
U
зи
U
зи
x
k
x
k
a) U=0
си
U
си
U
си
U
си
б ) U
си
≠0
в) U=U
сиотс
г )

U>U
стотс
                                         37

у стока (рис. 4б). К огд а напряж ение на стоке станет равны м напряж ению
перекры тия (Uси пер=Uзи-Uотп), канал у стока отсекается (исчезает) и
зам еняется обед ненны м слоем (рис. 4в).
             Uзи


                                                         a) U си=0
             xk




           Uзи              Uси




             xk                                           б) Uси≠0




           Uзи              U си



                                                          в) Uси=U отс




           Uзи              U си



                                                          г) Uст>Uотс




       Рис. 4. Зависим остьф орм ы канала отнапряж ения на стокев М Д П-
       транзисторе.

      При Uси>Uотс д лина канала ум еньш ается на величину∆L (рис. 4г) и д лина
обед ненной области увеличивается. Ч ерез участок L-∆L протекаетд рейф овы й

Страницы